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公开(公告)号：CN118200756A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311694313.7
申请日：2023-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有高动态范围的图像传感器。根据本发明构思的一些示例实施例的所述图像传感器可在全局快门模式下进行操作，并且每个像素电路可支持高转换增益(HCG)模式和低转换增益(LCG)模式，以便具有高动态范围(HDR)。因此，根据本发明构思的一些示例实施例的所述图像传感器可具有HDR并且可生成高质量图像。
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公开(公告)号：CN114823753A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210037334.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：具有第一表面和第二表面的半导体基板；在第一表面上的晶体管；第一下焊盘电极和第二下焊盘电极，在覆盖晶体管的第一层间绝缘膜上彼此间隔开；在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层；第一下电极，在穿过模制绝缘层的第一开口内部在第一下焊盘电极上；第二下电极，在穿过模制绝缘层的第二开口内部在第二下焊盘电极上；电介质膜和上电极，在第一下电极和第二下电极上；第一接触插塞，穿过模制绝缘层并且连接到第一下焊盘电极；以及第二接触插塞，穿过模制绝缘层并且连接到第二下焊盘电极。
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公开(公告)号：CN112788261A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011221280.0
申请日：2020-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器，该图像传感器包括第一层，该第一层包括呈像素阵列的像素、以及配置为控制像素阵列的第一逻辑电路。每个像素包括配置为响应光而产生电荷的至少一个光电二极管和配置为产生与所述电荷对应的像素信号的像素电路。第二层包括连接到像素阵列和第一逻辑电路的第二逻辑电路，并且在第一层上。第三层包括电连接到像素和第一逻辑电路中的至少一个的存储元件、以及在其中包括该存储元件的绝缘层。绝缘层的下表面附接到第一层的上部，并且绝缘层的上表面附接到第二层的下部。
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公开(公告)号：CN1812096B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200510120457.7
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 一种使用二元金属氧化物层作为数据存储材料层的交叉点非易失性存储器件，包括在衬底中布置的间隔掺杂线。多个间隔的上电极横跨掺杂线，以便在上电极重叠掺杂线的地点形成交叉点。下电极被布置在掺杂线和上电极之间的交叉点处。二元金属氧化物层被设置在上电极和下电极之间，以及被设为数据存储材料层。掺杂区被设置在下电极和掺杂线之间，以及与掺杂线一起形成二极管。掺杂区具有与掺杂线相反的极性。
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公开(公告)号：CN119400786A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410434302.3
申请日：2024-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H10H20/856 , H10H20/852 , H01L23/31 , H10H20/855 , H10H20/851
Abstract: 本申请涉及一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；连接基底，设置在封装基底上；第一半导体芯片，设置在连接基底上；第二半导体芯片，设置在连接基底上并与第一半导体芯片间隔开；成型层，设置在封装基底上，并且至少部分地覆盖连接基底、第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及光导构件，延伸到成型层中并设置在第二半导体芯片上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118431241A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202311645195.0
申请日：2023-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 公开了图像传感器和包括图像传感器的电子系统。所述图像传感器包括：下绝缘膜，布置在基底上方并且具有非平坦表面，非平坦表面具有凹凸形状并且包括第一表面和至少一个第二表面，第一表面在与基底的前侧表面平行的水平方向上延伸，并且所述至少一个第二表面从第一表面朝向基底延伸；电容器，布置在下绝缘膜上以接触下绝缘膜的非平坦表面，并且沿着下绝缘膜的非平坦表面的轮廓共形地覆盖下绝缘膜的非平坦表面；上绝缘膜，覆盖电容器和下绝缘膜；以及至少一个空气间隙，具有在水平方向上面向下绝缘膜的所述至少一个第二表面的侧面，并且具有在垂直方向上由上绝缘膜限定的高度。
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公开(公告)号：CN110993629A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910706919.5
申请日：2019-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。一种图像传感器可以包括：基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在基板中的光电转换层；以及在基板的第一表面上的下电容器连接图案。基板的第二表面可以被配置为接收入射光。下电容器连接图案可以包括电容器区域和从电容器区域突出的着陆区域。图像传感器还可以包括：电容器结构，包括顺序地堆叠在电容器区域上的第一导电图案、电介质图案和第二导电图案；第一布线，在电容器结构上并连接到第二导电图案；以及第二布线，连接到着陆区域。第一导电图案可以连接到下电容器连接图案。第一布线的面向基板的表面和第二线的面向基板的表面可以是共面的。
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公开(公告)号：CN1964050B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200610075345.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。
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公开(公告)号：CN1812096A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510120457.7
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 一种使用二元金属氧化物层作为数据存储材料层的交叉点非易失性存储器件，包括在衬底中布置的间隔掺杂线。多个间隔的上电极横跨掺杂线，以便在上电极重叠掺杂线的地点形成交叉点。下电极被布置在掺杂线和上电极之间的交叉点处。二元金属氧化物层被设置在上电极和下电极之间，以及被设为数据存储材料层。掺杂区被设置在下电极和掺杂线之间，以及与掺杂线一起形成二极管。掺杂区具有与掺杂线相反的极性。
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