公开(公告)号：CN111403427B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201911116541.X

申请日：2019-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许在成 ,  金永倬 ,  林夏珍

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：多个滤色器，所述多个滤色器在半导体衬底上彼此间隔开；保护层，所述保护层覆盖所述滤色器的侧壁和所述滤色器的顶表面；以及低折射图案，所述低折射图案填充所述滤色器之间的空间。

公开(公告)号：CN109801933A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811365455.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金政勋 ,  朴商秀 ,  金昶和 ,  金亨容 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括布置在半导体衬底处的多个光电二极管和布置在光电二极管上的分束器。分束器根据波长将入射光分割，使得不同颜色的分割光分别进入不同的光电二极管。分束器包括第一图案结构，第一图案结构具有多个折射层图案在横向上布置的剖面结构。

公开(公告)号：CN109728013B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN201811215139.2

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金政勋 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  张刚 ,  许在成

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32

Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板、在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区、在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极、在基板的第二表面上的绝缘结构、分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器、以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部具有非平面形状。

公开(公告)号：CN109547671A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201710868501.5

申请日：2017-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹英美 ,  金会元 ,  金采盛 ,  许在成

IPC: H04N5/225 ,  H04N5/235

CPC classification number: H04N5/2253 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/2257 ,  H04N5/2353

Abstract: 提供一种图像传感器、相机模块以及成像设备。所述图像传感器包括：图像获取器，被配置为通过将接收的光转换成电信号来生成图像信息；第一检测器，被配置为检测关于图像获取器获取图像信息的第一时间的第一时间信息；第二检测器，被配置为接收指示图像获取器的运动的多条运动信息，并且检测关于所述多条运动信息中的至少一条运动信息被接收的第二时间的第二时间信息。单个端口，被配置为输出图像信息、第一时间信息，从所述多条运动信息中选择的输出运动信息以及关于输出运动信息的第二时间信息。

公开(公告)号：CN118315397A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202311645200.8

申请日：2023-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳制亨 ,  林夏珍 ,  田钟珉 ,  全宅洙 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：半导体基板，包括像素区；以及栅栏结构，限定与像素区相对应的开口。栅栏结构包括：金属图案，在半导体基板上；低折射率图案，在金属图案上；以及金属氧气化物图案，在金属图案和低折射率图案之间。

公开(公告)号：CN117790519A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311228969.X

申请日：2023-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田钟珉 ,  林夏珍 ,  金起园 ,  尹琪重 ,  全宅洙 ,  许在成

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括设置在基板上并包括多个光感测单元的光检测器、设置在光检测器上并被配置为透射光的夹层器件、以及包括在夹层器件上彼此间隔开的第一纳米柱和第二纳米柱且被配置为将光聚集到光检测器上的纳米棱镜，第一纳米柱包括掺有第一掺杂浓度的铝的第一折射层以及围绕第一折射层的底表面和侧表面并掺有第二掺杂浓度的铝的第二折射层，第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度。

公开(公告)号：CN117012792A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310456735.4

申请日：2023-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠涓 ,  权炯根 ,  金范锡 ,  金智恩 ,  朴巨成 ,  李允基 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：第一衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括像素阵列区域和边缘区域；在第二表面上的抗反射结构；像素分离部分，在第一衬底中并将像素彼此分离；以及在抗反射结构上的微透镜阵列。该抗反射结构包括顺序堆叠的第一电介质层、钛氧化物层、第二电介质层和第三电介质层。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包括彼此不同的材料。在边缘区域上，第三电介质层穿透第二电介质层和钛氧化物层以与第一电介质层接触。

公开(公告)号：CN111081725A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910938386.3

申请日：2019-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  金局泰 ,  田钟珉 ,  许在成 ,  洪慧理

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：光电转换器，位于基底的像素区域中，以响应于入射到像素区域上的入射光而产生光电子；信号发生器，在像素区域中位于基底的第一表面上，以根据光电子产生与对象的图像信息对应的电信号；以及像素分离图案，从基底的第一表面到基底的与基底的第一表面相对的第二表面穿透基底，像素分离图案包括折射率小于基底的折射率的绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案，并且像素区域被像素分离图案围绕并与邻近像素区域隔离。

公开(公告)号：CN118412359A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410023653.5

申请日：2024-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠涓 ,  李允基 ,  金智恩 ,  朴巨成 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  崔现圭 ,  许在成

IPC: H01L27/146 ,  H01L25/16

Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：第一基底，包括像素区域和与像素区域相邻的外围区域，像素区域包括呈二维阵列的多个像素；第一布线层，在第一基底的下表面上；抗反射层，具有第一折射率，抗反射层在第一基底的上表面上；以及滤色器，在抗反射层上与像素区域对应并且通过无金属栅格图案彼此间隔开。

公开(公告)号：CN110113547B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201811465182.4

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许在成 ,  金敬镐 ,  李元硕

IPC: H04N25/70 ,  H01L25/04

Abstract: 本申请提供了图像传感器、电子装置以及控制图像处理装置的方法。所述电子装置包括：图像传感器，所述图像传感器包括配置为生成并输出像素图像的图像生成器、配置为处理像素图像的图像处理装置，以及配置为存储像素图像的存储单元；和应用处理器，所述应用处理器配置为生成模式设置信号，并且配置为将生成的模式设置信号发送至所述图像处理装置。图像处理装置配置为基于模式设置信号生成多个路径选择信号，所述多个路径选择信号用于选择图像处理装置用于处理像素图像的路径。图像处理装置基于用户的输入信号、像素图像的分析结果和图像传感器的运动信号中的至少一个来选择像素图像的压缩率，并基于选择的压缩率来压缩像素图像。