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公开(公告)号：CN103839944B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201310585436.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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公开(公告)号：CN112310147B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202010652460.8
申请日：2020-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构，其中，所述第一存储单元结构包括：位于所述第一导电结构上的开关材料图案；位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度，并且其中，所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。
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公开(公告)号：CN103839890B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201310585778.9
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 公开了包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法可以包括在有源区中形成包含磷的快刻蚀区、以及通过使快刻蚀区凹进来在有源区中形成第一沟槽。该方法还可以包括通过使用定向刻蚀处理扩大第一沟槽来在有源区中形成第二沟槽、以及在第二沟槽中形成应力源。第二沟槽可以包括有源区的凹口部分。
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公开(公告)号：CN107452719A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710400074.8
申请日：2017-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L28/20 , H01L27/0629 , H01L29/7851 , H01L23/647
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：绝缘层；绝缘层上的金属电阻图案；金属电阻图案的侧壁上的间隔物；以及与间隔物间隔开的栅接触，栅接触延伸到绝缘层中，其中绝缘层包括从其凸出的凸起，该凸起接触栅接触。
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公开(公告)号：CN103839944A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585436.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7836
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103839890A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585778.9
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/02636 , H01L21/30604 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L27/088 , H01L29/045 , H01L29/0603 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7834
Abstract: 公开了包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法可以包括在有源区中形成包含磷的快刻蚀区、以及通过使快刻蚀区凹进来在有源区中形成第一沟槽。该方法还可以包括通过使用定向刻蚀处理扩大第一沟槽来在有源区中形成第二沟槽、以及在第二沟槽中形成应力源。第二沟槽可以包括有源区的凹口部分。
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公开(公告)号：CN112310147A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010652460.8
申请日：2020-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构，其中，所述第一存储单元结构包括：位于所述第一导电结构上的开关材料图案；位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度，并且其中，所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。
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公开(公告)号：CN111403427A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201911116541.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：多个滤色器，所述多个滤色器在半导体衬底上彼此间隔开；保护层，所述保护层覆盖所述滤色器的侧壁和所述滤色器的顶表面；以及低折射图案，所述低折射图案填充所述滤色器之间的空间。
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公开(公告)号：CN111403427B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201911116541.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：多个滤色器，所述多个滤色器在半导体衬底上彼此间隔开；保护层，所述保护层覆盖所述滤色器的侧壁和所述滤色器的顶表面；以及低折射图案，所述低折射图案填充所述滤色器之间的空间。
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公开(公告)号：CN110060999B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910156871.5
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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