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公开(公告)号：CN106803505B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201610943366.1
申请日：2016-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/06
Abstract: 公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。
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公开(公告)号：CN103839944B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201310585436.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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公开(公告)号：CN106803505A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201610943366.1
申请日：2016-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L28/00 , H01L29/0649 , H01L29/165 , H01L29/42372 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7848 , H01L29/0684 , H01L29/08 , H01L29/0847
Abstract: 公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。
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公开(公告)号：CN107017295B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201610903349.5
申请日：2016-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的隔离图案，所述隔离图案具有在衬底上的下部绝缘图案，以及覆盖所述下部绝缘图案的侧表面的间隔物；穿过所述隔离图案以接触衬底的垂直结构，所述垂直结构具有在衬底上的第一半导体层，第一半导体层的下端在比所述隔离图案的下表面更低的高度，在第一半导体层上的第二半导体层，以及在第二半导体层上的第三半导体层；以及与垂直结构交叉且在所述隔离图案上方延伸的栅电极。
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公开(公告)号：CN110752259A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910594266.6
申请日：2019-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/167 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的有源鳍；沿第二方向延伸并与有源鳍交叉的栅电极；在栅电极的两个侧壁上的栅极间隔层；以及在栅电极的至少一侧的有源鳍的凹陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括基层，该基层与有源鳍接触并且具有在凹陷区域的内侧壁上在第一方向上彼此相对的内端和外端。源极/漏极区域可以包括基层上的第一层。第一层可以包括浓度高于基层中包括的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。基层的外端可以与第一层接触，并且可以具有在平面上朝向栅电极的外部凸出的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047715B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201510219477.3
申请日：2015-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：第一多沟道有源图案，由场绝缘层限定并沿着第一方向延伸，第一多沟道有源图案包括第一部分以及在第一部分两侧的第二部分，第一部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出的顶表面，第二部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出并在向上方向上比第一部分的顶表面突出得少的顶表面，第二部分具有连续轮廓的侧壁；栅电极，在第一多沟道有源图案的第一部分上，该栅电极沿着不同于第一方向的第二方向延伸；以及第一源/漏区，在第一多沟道有源图案的第二部分上并接触场绝缘层。
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公开(公告)号：CN105047715A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510219477.3
申请日：2015-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：第一多沟道有源图案，由场绝缘层限定并沿着第一方向延伸，第一多沟道有源图案包括第一部分以及在第一部分两侧的第二部分，第一部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出的顶表面，第二部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出并在向上方向上比第一部分的顶表面突出得少的顶表面，第二部分具有连续轮廓的侧壁；栅电极，在第一多沟道有源图案的第一部分上，该栅电极沿着不同于第一方向的第二方向延伸；以及第一源/漏区，在第一多沟道有源图案的第二部分上并接触场绝缘层。
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公开(公告)号：CN103839944A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585436.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7836
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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公开(公告)号：CN111933683B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010084287.6
申请日：2020-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：在第一方向上纵向延伸的鳍型有源区；在鳍型有源区的鳍顶表面上在第二方向上彼此交叠的多个纳米片；以及在鳍型有源区上并在第一方向上面向所述多个纳米片的源极/漏极区域。所述多个纳米片包括所述多个纳米片当中最靠近鳍型有源区的鳍顶表面并在第一方向上具有最短长度的第一纳米片。源极/漏极区域包括源极/漏极主区域以及从源极/漏极主区域突出的第一源极/漏极突出区域。第一源极/漏极突出区域从源极/漏极主区域朝着第一纳米片突出并在第二方向上与所述多个纳米片的部分交叠。
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公开(公告)号：CN110060999B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910156871.5
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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