公开(公告)号：CN110752259A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910594266.6

申请日：2019-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  金锡勋 ,  姜明一 ,  慎居明 ,  李承勋 ,  李正允 ,  崔珉姬 ,  崔正鍲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/167 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的有源鳍；沿第二方向延伸并与有源鳍交叉的栅电极；在栅电极的两个侧壁上的栅极间隔层；以及在栅电极的至少一侧的有源鳍的凹陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括基层，该基层与有源鳍接触并且具有在凹陷区域的内侧壁上在第一方向上彼此相对的内端和外端。源极/漏极区域可以包括基层上的第一层。第一层可以包括浓度高于基层中包括的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。基层的外端可以与第一层接触，并且可以具有在平面上朝向栅电极的外部凸出的形状。