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公开(公告)号：CN118173518A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311420224.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供了能提高元件性能和可靠性的半导体器件。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案和在有源图案上在第一方向上彼此隔开的多个栅极结构。每个栅极结构包括在第二方向上延伸的栅电极、栅电极的侧壁上的栅极间隔物和设置在相邻栅极结构之间的源极/漏极图案。栅极结构包括半导体衬垫层和半导体衬垫层上的半导体填充层，半导体衬垫层和半导体填充层由硅锗形成。半导体填充层包括在第三方向上突出超过有源图案的上表面的上部。半导体填充层的上部在第一方向上的最大宽度大于有源图案的上表面上的半导体填充层在第一方向的宽度。半导体衬垫层包括与有源图案接触的外表面和面向半导体填充层的内表面。在平面图中，半导体衬垫层的内表面包括凹区域。
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公开(公告)号：CN109427778B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201810993514.X
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一鳍型图案；在基板上的第二鳍型图案，平行于第一鳍型图案；以及在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的外延图案。外延图案可以包括在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的共用半导体图案。共用半导体图案可以包括与第一鳍型图案相邻的第一侧壁和与第二鳍型图案相邻的第二侧壁。第一侧壁可以包括第一下晶面、在第一下晶面上的第一上晶面、以及连接第一下晶面和第一上晶面的第一连接曲面。第二侧壁可以包括第二下晶面、在第二下晶面上的第二上晶面、以及连接第二下晶面和第二上晶面的第二连接曲面。
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公开(公告)号：CN114597252A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111388186.9
申请日：2021-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体装置，包括：有源图案，其包括在第一方向上延伸的下图案和在垂直于第一方向的第二方向上与下图案间隔开的多个片图案；多个栅极结构，其位于下图案上以在第一方向上彼此间隔开，并且包括包围多个片图案的栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹部，其限定在彼此相邻的栅极结构之间；以及源极/漏极图案，其位于源极/漏极凹部内部，并且包括沿着源极/漏极凹部连续地形成的半导体阻挡膜，其中，源极/漏极凹部包括多个宽度延伸区域，并且宽度延伸区域中的每一个在第一方向上的宽度随着其远离下图案的上表面而增大并且随后减小。
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公开(公告)号：CN110010689B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910193855.3
申请日：2014-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可包括：并列形成在衬底上的第一鳍部和第二鳍部；第一抬升式掺杂区，其形成在第一鳍部上，并具有第一掺杂浓度的杂质；第二抬升式掺杂区，其形成在第二鳍部上；以及第一桥，其将第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区彼此连接。本发明还公开了制造这种半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110752259A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910594266.6
申请日：2019-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/167 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的有源鳍；沿第二方向延伸并与有源鳍交叉的栅电极；在栅电极的两个侧壁上的栅极间隔层；以及在栅电极的至少一侧的有源鳍的凹陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括基层，该基层与有源鳍接触并且具有在凹陷区域的内侧壁上在第一方向上彼此相对的内端和外端。源极/漏极区域可以包括基层上的第一层。第一层可以包括浓度高于基层中包括的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。基层的外端可以与第一层接触，并且可以具有在平面上朝向栅电极的外部凸出的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118352356A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311574033.2
申请日：2023-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种集成电路器件包括：后布线结构；绝缘衬底，设置在所述后布线结构上并且包括在第一水平方向上延伸的鳍结构；器件隔离层，设置在所述鳍结构之间；下绝缘层，覆盖所述鳍结构；栅极结构，在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；多个纳米片堆叠件，设置在所述下绝缘层上；第一源极/漏极区，设置在所述绝缘衬底上并且包括主体部分和垂直延伸部分，其中，所述主体部分设置在所述多个纳米片堆叠件之间，并且所述垂直延伸部分穿过所述下绝缘层并且至少部分地穿过对应的所述鳍结构；半导体外延结构，至少部分地围绕所述第一源极/漏极区的所述垂直延伸部分；以及下接触，将所述半导体外延结构与所述后布线结构连接。
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公开(公告)号：CN116364719A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211712947.6
申请日：2022-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括第一有源图案，第一有源图案具有第一下图案和在第一下图案上的第一片图案。第一栅极结构包括第一栅电极。第二有源图案包括第二下图案。第二片图案在第二下图案上。第二栅极结构包括围绕第二片图案的第二栅电极。第一源极/漏极凹陷在相邻的第一栅极结构之间。第二源极/漏极凹陷在相邻的第二栅极结构之间。第一源极/漏极图案沿着第一源极/漏极凹陷延伸。第一硅锗填充膜在第一硅锗衬垫上。第二源极/漏极图案包括沿着第二源极/漏极凹陷延伸的第二硅锗衬垫。第二硅锗填充膜在第二硅锗衬垫上。
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公开(公告)号：CN115910926A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210979114.X
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：第一鳍形图案，在衬底的第一区域中并在第一方向上彼此间隔开；第二鳍形图案，在衬底的第二区域中并在第二方向上彼此间隔开；第一场绝缘膜，在衬底上并覆盖第一鳍形图案的侧壁；第二场绝缘膜，在衬底上并覆盖第二鳍形图案的侧壁；第一源极/漏极图案，在第一场绝缘膜上、连接到第一鳍形图案并包括第一硅锗图案；以及第二源极/漏极图案，在第二场绝缘膜上、连接到第二鳍形图案并包括第二硅锗图案，第二源极/漏极图案和第二场绝缘膜在其间限定一个或更多个第一气隙。
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公开(公告)号：CN113725218A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110338820.1
申请日：2021-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的有源图案；在有源图案上的一对源极/漏极图案；在所述一对源极/漏极图案之间的沟道图案，该沟道图案包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案；以及栅电极，与沟道图案重叠并在第一方向上延伸。所述一对源极/漏极图案中的一个包括第一半导体层和其上的第二半导体层。第一半导体层与第一半导体图案接触，该第一半导体图案是堆叠的半导体图案之一。第一半导体图案、第一半导体层和第二半导体层在第一方向上的最大宽度分别是第一宽度、第二宽度、第三宽度，第二宽度大于第一宽度并且小于第三宽度。
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公开(公告)号：CN109427900A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810568075.8
申请日：2018-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：在衬底上的沟道图案，沟道图案在第一方向上延伸；在衬底上的栅极图案，栅极图案在交叉第一方向的第二方向上延伸并围绕沟道图案；以及在沟道图案与栅极图案之间的界面层，界面层形成在沟道图案的上表面和下表面中的至少一个表面上。
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