公开(公告)号：CN110164956B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201910481251.9

申请日：2014-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  崔成贤 ,  卓容奭 ,  具本荣 ,  韩在钟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/223 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。

公开(公告)号：CN106057891B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201610197247.6

申请日：2016-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东宇 ,  李承勋 ,  金善政 ,  李炫姃 ,  具本荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：缓冲层，在基底上，缓冲层具有与基底的晶格常数不同的晶格常数；鳍状结构，从缓冲层向上突出；栅电极，横跨鳍状结构之上；包覆层，在鳍状结构的侧面并覆盖鳍状结构的顶表面和侧壁；以及界面层，在包覆层和鳍状结构之间，界面层包括与缓冲层相同的元素。

公开(公告)号：CN107068537B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201610978132.0

申请日：2016-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  金真范 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  李泰宗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  C23C16/44

Abstract: 本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。

公开(公告)号：CN107068536B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201610948185.8

申请日：2016-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  李泰宗 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  崔成贤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置，所述形成SiOCN材料层的方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。

公开(公告)号：CN104103687B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201410136127.6

申请日：2014-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  权兑昱 ,  郑秀珍 ,  金永弼 ,  李炳赞 ,  具本荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：鳍，在基板上；栅电极，在基板上交叉鳍；源/漏极，形成在栅电极的两侧的至少一个上，并包括第一膜和第二膜；以及应力膜，布置在基板上的隔离膜与源/漏极之间，并形成在鳍的侧表面上。

公开(公告)号：CN107039436A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710017588.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔成贤 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  徐元吾

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L23/26 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。

公开(公告)号：CN1233851A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99106000.8

申请日：1999-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具本荣 ,  洪景熏 ,  裴大勋 ,  南硕祐

IPC: H01L21/76

Abstract: 提供一种在半导体器件内形成用于隔离有源器件的沟槽方法,其中有利地形成圆形底边的沟槽,以便使沟槽填充材料由体积膨胀所产生的施加到半导体衬底的应力最小化。在高温下进行热氧化形成热氧化层。为了形成氧化阻挡层,进行了氮化工艺。

公开(公告)号：CN107039436B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201710017588.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔成贤 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  徐元吾

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。

公开(公告)号：CN106847812B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610884035.5

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  李泰宗 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  崔成贤

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。

公开(公告)号：CN110010689B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201910193855.3

申请日：2014-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  具本荣 ,  金男奎 ,  宋宇彬 ,  李炳赞 ,  郑秀珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可包括：并列形成在衬底上的第一鳍部和第二鳍部；第一抬升式掺杂区，其形成在第一鳍部上，并具有第一掺杂浓度的杂质；第二抬升式掺杂区，其形成在第二鳍部上；以及第一桥，其将第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区彼此连接。本发明还公开了制造这种半导体器件的方法。