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公开(公告)号：CN1233851A
公开(公告)日：1999-11-03
申请号：CN99106000.8
申请日：1999-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 具本荣 , 洪景熏 , 裴大勋 , 南硕祐
IPC: H01L21/76
Abstract: 提供一种在半导体器件内形成用于隔离有源器件的沟槽方法,其中有利地形成圆形底边的沟槽,以便使沟槽填充材料由体积膨胀所产生的施加到半导体衬底的应力最小化。在高温下进行热氧化形成热氧化层。为了形成氧化阻挡层,进行了氮化工艺。
