公开(公告)号：CN1233851A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99106000.8

申请日：1999-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具本荣 ,  洪景熏 ,  裴大勋 ,  南硕祐

IPC: H01L21/76

Abstract: 提供一种在半导体器件内形成用于隔离有源器件的沟槽方法,其中有利地形成圆形底边的沟槽,以便使沟槽填充材料由体积膨胀所产生的施加到半导体衬底的应力最小化。在高温下进行热氧化形成热氧化层。为了形成氧化阻挡层,进行了氮化工艺。

公开(公告)号：CN1210366A

公开(公告)日：1999-03-10

申请号：CN98117480.9

申请日：1998-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩旻锡 ,  申志澈 ,  南硕祐 ,  李炯硕

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L28/84

Abstract: DRAM单元电容器,在电容器下电极上形成HSG层,以便增加电容器的电容量。电容器下电极在其上边缘具有斜角形,HSG硅层不形成在电容器下电极的上边缘上。一种制造该DRAM单元电容器的方法,包括:使光刻胶图形作掩模腐蚀导电层的上部分,同时在光刻胶图形两侧壁上形成聚合物,以腐蚀其上部分,从而使导电层的上边缘成斜角形。用光刻胶图形和聚合物的组合用掩模,腐蚀导电层的剩余部分,直到暴露层间绝缘层的上表面为止,由此形成电容器下电极。

公开(公告)号：CN108074935B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201711076689.6

申请日：2017-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  金润载 ,  南硕祐

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了包括沟道结构的半导体器件。一种半导体器件包括设置在半导体衬底上的堆叠结构。堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。多个分隔图案设置为穿透堆叠结构。沟道结构设置在所述多个分隔图案中的两个相邻的分隔图案之间。沟道结构包括插置在堆叠结构与半导体衬底之间同时与半导体衬底接触的水平部分，并且包括在垂直方向上从水平部分延伸并穿透堆叠结构的垂直部分。下部结构插置在水平部分与分隔图案之间。电介质结构插置在垂直部分与堆叠结构之间并在水平部分与堆叠结构之间延伸。

公开(公告)号：CN108074935A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711076689.6

申请日：2017-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  金润载 ,  南硕祐

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11565

Abstract: 本公开提供了包括沟道结构的半导体器件。一种半导体器件包括设置在半导体衬底上的堆叠结构。堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。多个分隔图案设置为穿透堆叠结构。沟道结构设置在所述多个分隔图案中的两个相邻的分隔图案之间。沟道结构包括插置在堆叠结构与半导体衬底之间同时与半导体衬底接触的水平部分，并且包括在垂直方向上从水平部分延伸并穿透堆叠结构的垂直部分。下部结构插置在水平部分与分隔图案之间。电介质结构插置在垂直部分与堆叠结构之间并在水平部分与堆叠结构之间延伸。

公开(公告)号：CN1873987A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610089977.0

申请日：2006-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬锡 ,  邢庸宇 ,  朴栽永 ,  李铉德 ,  任基彬 ,  李昱烈 ,  李高银 ,  金永镇 ,  南硕祐

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/02 ,  H01L27/00 ,  H01L29/94 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

Abstract: 在具有半导体－绝缘体－金属(SIM)结构的电容器中，可以将上电极形成为包括多晶半导体族IV材料的多层结构。介质层可包括金属氧化物，以及下电极可包括基于金属的材料。因此，电容器可以具有足够小的等效氧化物厚度(EOT)和/或可具有改进的电流漏泄特性。

公开(公告)号：CN1767171A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510099582.4

申请日：2005-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永燮 ,  朴栽永 ,  李铉德 ,  任基彬 ,  申元湜 ,  邢庸宇 ,  林宪亨 ,  张源准 ,  南硕祐

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L28/91

Abstract: 通过在第一结构上淀积金属氧化物材料以及退火该淀积的金属氧化物材料，在第一结构上形成刻蚀停止层。在刻蚀停止层上形成第二结构，以及使用刻蚀停止层作为刻蚀停止，通过第二结构刻蚀形成部分。