公开(公告)号：CN1767171A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510099582.4

申请日：2005-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永燮 ,  朴栽永 ,  李铉德 ,  任基彬 ,  申元湜 ,  邢庸宇 ,  林宪亨 ,  张源准 ,  南硕祐

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L28/91

Abstract: 通过在第一结构上淀积金属氧化物材料以及退火该淀积的金属氧化物材料，在第一结构上形成刻蚀停止层。在刻蚀停止层上形成第二结构，以及使用刻蚀停止层作为刻蚀停止，通过第二结构刻蚀形成部分。

公开(公告)号：CN1858914A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200510125139.X

申请日：2005-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永燮 ,  吴正焕 ,  邢庸宇 ,  林宪亨

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: CMOS图像传感器内包括图像转移晶体管。该图像转移晶体管包括：半导体沟道区，是第一导电型的；以及导电栅，位于该半导体沟道区上。还设置了栅绝缘区。该栅绝缘区在该半导体沟道区与该导电栅之间延伸。该栅绝缘区包括：氮化绝缘层，延伸到与导电栅的界面；以及基本无氮绝缘层，延伸到与半导体沟道区的界面。该氮化绝缘层可以是氮氧化硅(SiON)层。

公开(公告)号：CN106716638B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201480082144.4

申请日：2014-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  南泌旭 ,  延国贤 ,  李圣海 ,  张佑赈 ,  刘东哲 ,  林宪亨 ,  池正根 ,  黄棋铉

IPC: H01L27/11578

Abstract: 本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件可以包括：多个栅极，竖直地堆叠在基底上；竖直沟道，填充竖直地贯穿所述多个栅极的沟道孔；存储层，在沟道的内侧壁上竖直地延伸。竖直沟道可以包括：下沟道，填充沟道孔的下部区域并电连接至基底；上沟道，填充沟道孔的上部区域并接触下沟道。上沟道可以在沟道孔的上部区域中沿存储层和下沟道延伸并且可以具有均匀的厚度。

公开(公告)号：CN106716638A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201480082144.4

申请日：2014-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  南泌旭 ,  延国贤 ,  李圣海 ,  张佑赈 ,  刘东哲 ,  林宪亨 ,  池正根 ,  黄棋铉

IPC: H01L27/11578

Abstract: 本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件可以包括：多个栅极，竖直地堆叠在基底上；竖直沟道，填充竖直地贯穿所述多个栅极的沟道孔；存储层，在沟道的内侧壁上竖直地延伸。竖直沟道可以包括：下沟道，填充沟道孔的下部区域并电连接至基底；上沟道，填充沟道孔的上部区域并接触下沟道。上沟道可以在沟道孔的上部区域中沿存储层和下沟道延伸并且可以具有均匀的厚度。