公开(公告)号：CN106972016B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201610868493.X

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  任基彬 ,  金润洙 ,  林汉镇

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种具有电容器的半导体器件包括：具有晶体管的衬底；形成在衬底上且不重叠形成在衬底中的第一接触节点的第一绝缘图案；第二绝缘图案，其形成在衬底上，不重叠形成在衬底中的第二接触节点，并且与第一绝缘图案分离；形成在部分衬底上和第一绝缘图案的侧壁上的第一下电极；形成在部分衬底上和第二绝缘图案的侧壁上的第二下电极；形成在第一下电极和第二下电极上的电介质层图案；以及形成在电介质层图案上的上电极。相关制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN106972016A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610868493.X

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  任基彬 ,  金润洙 ,  林汉镇

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L27/10805 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种具有电容器的半导体器件包括：具有晶体管的衬底；形成在衬底上且不重叠形成在衬底中的第一接触节点的第一绝缘图案；第二绝缘图案，其形成在衬底上，不重叠形成在衬底中的第二接触节点，并且与第一绝缘图案分离；形成在部分衬底上和第一绝缘图案的侧壁上的第一下电极；形成在部分衬底上和第二绝缘图案的侧壁上的第二下电极；形成在第一下电极和第二下电极上的电介质层图案；以及形成在电介质层图案上的上电极。相关制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN1873987A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610089977.0

申请日：2006-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬锡 ,  邢庸宇 ,  朴栽永 ,  李铉德 ,  任基彬 ,  李昱烈 ,  李高银 ,  金永镇 ,  南硕祐

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/02 ,  H01L27/00 ,  H01L29/94 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

Abstract: 在具有半导体－绝缘体－金属(SIM)结构的电容器中，可以将上电极形成为包括多晶半导体族IV材料的多层结构。介质层可包括金属氧化物，以及下电极可包括基于金属的材料。因此，电容器可以具有足够小的等效氧化物厚度(EOT)和/或可具有改进的电流漏泄特性。

公开(公告)号：CN1767171A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510099582.4

申请日：2005-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永燮 ,  朴栽永 ,  李铉德 ,  任基彬 ,  申元湜 ,  邢庸宇 ,  林宪亨 ,  张源准 ,  南硕祐

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L28/91

Abstract: 通过在第一结构上淀积金属氧化物材料以及退火该淀积的金属氧化物材料，在第一结构上形成刻蚀停止层。在刻蚀停止层上形成第二结构，以及使用刻蚀停止层作为刻蚀停止，通过第二结构刻蚀形成部分。