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公开(公告)号：CN110931502B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201910836966.1
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置。该装置可以包括在包括单元阵列区和连接区的基底上的第一堆叠结构、在第一堆叠结构上的第二堆叠结构、在单元阵列区上并且穿透第一堆叠结构并使基底和第二堆叠结构的底表面暴露的第一竖直沟道孔、在单元阵列区上并且穿透第二堆叠结构并使第一竖直沟道孔暴露的第二竖直沟道孔以及放置在第一竖直沟道孔中并且与第二堆叠结构的底表面相邻的缓冲图案，第二竖直沟道孔的底部直径小于第一竖直沟道孔的顶部直径。
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公开(公告)号：CN106716638B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201480082144.4
申请日：2014-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578
Abstract: 本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件可以包括：多个栅极，竖直地堆叠在基底上；竖直沟道，填充竖直地贯穿所述多个栅极的沟道孔；存储层，在沟道的内侧壁上竖直地延伸。竖直沟道可以包括：下沟道，填充沟道孔的下部区域并电连接至基底；上沟道，填充沟道孔的上部区域并接触下沟道。上沟道可以在沟道孔的上部区域中沿存储层和下沟道延伸并且可以具有均匀的厚度。
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公开(公告)号：CN106716638A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201480082144.4
申请日：2014-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578
Abstract: 本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件可以包括：多个栅极，竖直地堆叠在基底上；竖直沟道，填充竖直地贯穿所述多个栅极的沟道孔；存储层，在沟道的内侧壁上竖直地延伸。竖直沟道可以包括：下沟道，填充沟道孔的下部区域并电连接至基底；上沟道，填充沟道孔的上部区域并接触下沟道。上沟道可以在沟道孔的上部区域中沿存储层和下沟道延伸并且可以具有均匀的厚度。
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公开(公告)号：CN111106117A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910909872.2
申请日：2019-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517 , H01L29/788
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法被如下提供。形成孔以穿过初始第一模层和初始第二模层以分别形成在垂直于下部结构的垂直方向上交替地堆叠在下部结构上的第一模层和第二模层。沿着孔的侧表面部分地蚀刻第一模层，以形成凹陷区域和凹陷的第一模层。在凹陷区域中形成第三模层以形成层间绝缘层，使得每个层间绝缘层包括在垂直方向上位于相同水平的对应的第三模层和对应的凹陷的第一模层。在孔中形成第一电介质层以覆盖彼此堆叠的第三模层和第二模层。在第一电介质层上形成信息存储图案。
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公开(公告)号：CN110931502A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910836966.1
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11573
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置。该装置可以包括在包括单元阵列区和连接区的基底上的第一堆叠结构、在第一堆叠结构上的第二堆叠结构、在单元阵列区上并且穿透第一堆叠结构并使基底和第二堆叠结构的底表面暴露的第一竖直沟道孔、在单元阵列区上并且穿透第二堆叠结构并使第一竖直沟道孔暴露的第二竖直沟道孔以及放置在第一竖直沟道孔中并且与第二堆叠结构的底表面相邻的缓冲图案，第二竖直沟道孔的底部直径小于第一竖直沟道孔的顶部直径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109508467A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201810937129.3
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种对工艺腔中的气体的流动进行仿真的计算系统及其方法。计算系统包括：存储器，被配置成存储指令及喷嘴库；以及处理器，被配置成存取所述存储器且执行所述指令。所述指令使所述计算系统：基于所述喷嘴库选择至少一个喷嘴单元作为所选择的至少一个喷嘴单元，并将所述所选择的至少一个喷嘴单元放置在对应的位置坐标处；为所述工艺腔创建多个体积网孔；以及基于所述工艺腔中的所述多个体积网孔对所述工艺腔中通过所述所选择的至少一个喷嘴单元的气体的流动进行仿真。所述喷嘴库包括关于多个喷嘴单元的信息，所述多个喷嘴单元中的每一者中形成有多个体积网孔。所述喷嘴单元具有彼此不同的形状。
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公开(公告)号：CN111162084B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910851403.X
申请日：2019-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种垂直型存储器件包括：多个栅电极，堆叠在衬底上；和垂直沟道结构，沿垂直于衬底的上表面的第一方向穿透所述多个栅电极。垂直沟道结构包括：沿第一方向延伸的沟道；第一填充膜，部分地填充沟道的内部空间；第一衬层，在第一填充膜的上表面的至少一部分上并且在沟道的远离衬底延伸超过第一填充膜的上部内侧壁。第一衬层包括n型杂质。垂直沟道结构包括在第一衬层的至少一部分上的第二填充膜和在第二填充膜上并与第一衬层接触的焊盘。
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公开(公告)号：CN111424261B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910813222.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/56
Abstract: 提供了一种原子层沉积(ALD)设备，所述ALD设备包括：第一工艺室，被构造为供应第一源气体并诱导第一材料膜的吸附。第二工艺室被构造为供应第二源气体并诱导第二材料膜的吸附。第三工艺室被构造为供应第三源气体并诱导第三材料膜的吸附。表面处理室被构造为对第一材料膜至第三材料膜中的每个执行表面处理工艺并去除反应副产物。热处理室被构造为对在其上以预定顺序吸附有第一材料膜至第三材料膜的基底执行热处理工艺并且使第一材料膜至第三材料膜转换为单一化合物薄膜。
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公开(公告)号：CN109508467B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201810937129.3
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/28
Abstract: 一种对工艺腔中的气体的流动进行仿真的计算系统及其方法。计算系统包括：存储器，被配置成存储指令及喷嘴库；以及处理器，被配置成存取所述存储器且执行所述指令。所述指令使所述计算系统：基于所述喷嘴库选择至少一个喷嘴单元作为所选择的至少一个喷嘴单元，并将所述所选择的至少一个喷嘴单元放置在对应的位置坐标处；为所述工艺腔创建多个体积网孔；以及基于所述工艺腔中的所述多个体积网孔对所述工艺腔中通过所述所选择的至少一个喷嘴单元的气体的流动进行仿真。所述喷嘴库包括关于多个喷嘴单元的信息，所述多个喷嘴单元中的每一者中形成有多个体积网孔。所述喷嘴单元具有彼此不同的形状。
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公开(公告)号：CN113497050A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110372991.6
申请日：2021-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，包括：含碳层，其位于基板上；多个电极层间电介质层和多个电极层，所述多个电极层间电介质层和所述多个电极层交替地堆叠在所述含碳层上；单元垂直图案，其贯穿电极层间电介质层和电极层中的至少一些；以及半导体图案，其位于单元垂直图案和含碳层之间。基板包括多个第一晶粒。半导体图案包括多个第二晶粒。第二晶粒的平均尺寸小于第一晶粒的平均尺寸。
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