公开(公告)号：CN113130748A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011156646.0

申请日：2020-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵在奂 ,  吴正焕 ,  李相昊 ,  李准原 ,  裵珍宇 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：衬底上的底部子电极；所述底部子电极上的顶部子电极；覆盖所述底部子电极和顶部子电极的介电层；以及所述介电层上的板电极。所述顶部子电极可以包括阶梯，所述阶梯从其与所述底部子电极相邻的侧表面延伸到所述顶部子电极的内部。所述顶部子电极可以包括比所述阶梯低的高度的下部和比所述阶梯高的高度的上部。所述下部的最大宽度可以比所述上部的最小宽度窄。所述下部的所述最大宽度可以比所述底部子电极的顶端的宽度窄。所述底部子电极可以在与所述顶部子电极相邻的区域中包括凹陷。

公开(公告)号：CN1960470A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610159894.4

申请日：2006-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴正焕

IPC: H04N5/92 ,  H04N9/80 ,  H04N9/802 ,  G06F17/30

CPC classification number: H04N7/163 ,  H04N19/40 ,  H04N19/61 ,  H04N21/4104 ,  H04N21/4402

Abstract: 一种输出多媒体数据的装置，以及输出该数据的方法，更具体地，一种输出多媒体数据的装置及方法，其中将所有可应用格式的多媒体数据转换为媒体中心扩展器支持的多媒体数据格式，以输出多媒体数据，该装置包括：数据处理单元，接收视频数据和音频数据；控制单元，转换视频数据和音频数据的处理路径；编码单元，将根据转换的处理路径发送的视频数据和音频数据编码为预定压缩格式；以及通信单元，根据编码结果发送多媒体数据。

公开(公告)号：CN113130748B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202011156646.0

申请日：2020-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵在奂 ,  吴正焕 ,  李相昊 ,  李准原 ,  裵珍宇 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：衬底上的底部子电极；所述底部子电极上的顶部子电极；覆盖所述底部子电极和顶部子电极的介电层；以及所述介电层上的板电极。所述顶部子电极可以包括阶梯，所述阶梯从其与所述底部子电极相邻的侧表面延伸到所述顶部子电极的内部。所述顶部子电极可以包括比所述阶梯低的高度的下部和比所述阶梯高的高度的上部。所述下部的最大宽度可以比所述上部的最小宽度窄。所述下部的所述最大宽度可以比所述底部子电极的顶端的宽度窄。所述底部子电极可以在与所述顶部子电极相邻的区域中包括凹陷。

公开(公告)号：CN115373506A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210556012.7

申请日：2022-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴正焕 ,  金善煜 ,  金宇一 ,  赵万辉

IPC: G06F1/324 ,  G06F1/3234 ,  G06F1/3296 ,  G06F1/3206 ,  G06F1/26

Abstract: 公开了一种集成电路，其对动态电压和频率缩放(DVFS)操作所需的参数进行计数。该集成电路包括：访问将处理设备彼此连接的总线，并基于通过总线传输的数据输出事件信号的事件块；对从时钟管理单元接收到的时钟信号的数量进行计数的时钟计数器；基于事件信号分别对用于计算工作负载的参数进行计数的多个性能计数器；从DVFS调节器接收操作信号并将时钟信号的数量和参数发送到DVFS调节器的接口，该DVFS调节器基于工作负载来确定处理设备的操作频率和操作电压；以及基于操作信号来控制事件块、时钟计数器和多个性能计数器的操作的控制器。

公开(公告)号：CN1858914A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200510125139.X

申请日：2005-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永燮 ,  吴正焕 ,  邢庸宇 ,  林宪亨

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: CMOS图像传感器内包括图像转移晶体管。该图像转移晶体管包括：半导体沟道区，是第一导电型的；以及导电栅，位于该半导体沟道区上。还设置了栅绝缘区。该栅绝缘区在该半导体沟道区与该导电栅之间延伸。该栅绝缘区包括：氮化绝缘层，延伸到与导电栅的界面；以及基本无氮绝缘层，延伸到与半导体沟道区的界面。该氮化绝缘层可以是氮氧化硅(SiON)层。