公开(公告)号：CN102051650A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010545979.2

申请日：2010-11-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  TKC有限公司

Inventor： 李宜珩 ,  金南锡 ,  徐云浩 ,  韩旻锡 ,  朱煐县 ,  崔朱逸

IPC: C25D7/12 ,  C25D5/08 ,  H01L21/288 ,  H01L21/445

CPC classification number: C25D17/005 ,  C25D17/001 ,  C25D17/008 ,  C25D17/02 ,  C25D21/10

Abstract: 本发明提供了电镀基板的装置和方法。电镀基板的装置包括：基板支撑构件，支撑基板使得基板的镀覆表面面朝上；阳极电极，设置在基板支撑构件的上方；电源，用于施加电压到阳极电极和基板；以及镀覆溶液供应构件，用于提供镀覆溶液到基板上。

公开(公告)号：CN1210366A

公开(公告)日：1999-03-10

申请号：CN98117480.9

申请日：1998-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩旻锡 ,  申志澈 ,  南硕祐 ,  李炯硕

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L28/84

Abstract: DRAM单元电容器,在电容器下电极上形成HSG层,以便增加电容器的电容量。电容器下电极在其上边缘具有斜角形,HSG硅层不形成在电容器下电极的上边缘上。一种制造该DRAM单元电容器的方法,包括:使光刻胶图形作掩模腐蚀导电层的上部分,同时在光刻胶图形两侧壁上形成聚合物,以腐蚀其上部分,从而使导电层的上边缘成斜角形。用光刻胶图形和聚合物的组合用掩模,腐蚀导电层的剩余部分,直到暴露层间绝缘层的上表面为止,由此形成电容器下电极。