公开(公告)号：CN1210366A

公开(公告)日：1999-03-10

申请号：CN98117480.9

申请日：1998-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩旻锡 ,  申志澈 ,  南硕祐 ,  李炯硕

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L28/84

Abstract: DRAM单元电容器,在电容器下电极上形成HSG层,以便增加电容器的电容量。电容器下电极在其上边缘具有斜角形,HSG硅层不形成在电容器下电极的上边缘上。一种制造该DRAM单元电容器的方法,包括:使光刻胶图形作掩模腐蚀导电层的上部分,同时在光刻胶图形两侧壁上形成聚合物,以腐蚀其上部分,从而使导电层的上边缘成斜角形。用光刻胶图形和聚合物的组合用掩模,腐蚀导电层的剩余部分,直到暴露层间绝缘层的上表面为止,由此形成电容器下电极。