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    堆叠晶体管的场区直接连接方法、堆叠晶体管及器件
    3.
    发明公开
    堆叠晶体管的场区直接连接方法、堆叠晶体管及器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN118507426A

    公开(公告)日：2024-08-16

    申请号：CN202410414514.5

    申请日：2024-04-08

    申请人： 北京大学

    发明人： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/76 ,  H01L23/52 ,  H01L27/02

    摘要： 本申请提供一种堆叠晶体管的场区直接连接方法、堆叠晶体管及器件。其中，场区直接连接方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；对第一晶体管进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管；在双扩散隔离区域内刻蚀第一晶体管和第二晶体管，以形成第一凹槽，双扩散隔离区域用于隔离相邻的两个堆叠晶体管；在第一凹槽内填充金属材料，以形成互连通孔结构，互连通孔结构用于连接第一晶体管的第一金属互连层与第二晶体管的第二金属互连层。

    固态摄像装置和电子设备
    4.
    发明授权
    固态摄像装置和电子设备 有权

    公开(公告)号：CN111656524B

    公开(公告)日：2024-07-16

    申请号：CN201980010002.X

    申请日：2019-03-15

    申请人： 索尼半导体解决方案公司

    发明人： 大浦雅史

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H01L31/10 ,  H04N25/70

    摘要： 本技术涉及能够提高与晶体管的布置有关的自由度的固态摄像装置和电子设备。本发明设置有：光电转换单元，其被构造成进行光电转换；沟槽，其在深度方向上穿透半导体基板，且形成在分别形成于相邻的像素中的各所述光电转换单元之间；以及PN结区域，其由所述沟槽的侧壁上的P型区域和N型区域构成。这里，在所述光电转换单元周围的侧边的一部分包括：未形成有所述P型区域的区域或较薄地形成有所述P型区域的区域。在所述光电转换单元周围的四个侧边中的至少一个侧边上形成有所述PN结区域，并且在其余的侧边上未形成有所述P型区域。本技术能够应用于例如背面照射式CMOS图像传感器。

    半导体结构的形成方法及半导体器件的制备方法
    5.
    发明公开
    半导体结构的形成方法及半导体器件的制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117790399A

    公开(公告)日：2024-03-29

    申请号：CN202211159963.7

    申请日：2022-09-22

    申请人： 上海集成电路研发中心有限公司

    发明人： 刘洋 ,  赵慧 ,  杨渝书 ,  耿金鹏

    IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/765 ,  H01L21/8238

    摘要： 本发明提供一种半导体结构的形成方法及半导体器件的制备方法，形成方法包括：提供一硅衬底，其上依次形成有第一层叠结构、第二层叠结构；形成鳍状导电沟道、鳍状间隔层及片状导电沟道，鳍状间隔层的宽度与第一间隔层的厚度的比例为0.8:1～1:0.5；形成虚拟栅极；蚀刻以暴露源漏区域，并在靠近源漏区域的鳍状间隔层及第一间隔层中内凹形成若干间隙；在若干间隙内形成隔离结构。本发明中，通过使得在第一间隔层中形成的间隙的高度与在鳍状间隔层中形成的间隙的宽度相同或接近相同，由此即可在第一间隔层及第二间隔层的间隙中同步形成隔离结构，从而降低形成半导体结构的隔离结构的工艺难度。

    光检测设备和电子装置
    6.
    发明授权
    光检测设备和电子装置 有权

    公开(公告)号：CN115528056B

    公开(公告)日：2024-03-22

    申请号：CN202211258563.1

    申请日：2020-02-14

    申请人： 索尼半导体解决方案公司

    发明人： 小笠原隆行 ,  横地界斗

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H04N25/76

    摘要： 本发明涉及光检测设备和电子装置。其中，光检测设备可包括：在平面图中布置在像素阵列中的多个像素组，包括彼此相邻的第一像素组和第二像素组，第一像素组和第二像素组各自包括：片上透镜；四个光电转换区域，对应于片上透镜；和设置在片上透镜和四个光电转换区域之间的滤色器；第一分离区域，包括第一材料并且在平面图中布置在第一像素组和第二像素组之间；以及第二分离区域，包括第二材料并且在平面图中布置在第一像素组的四个光电转换区域之间，其中，第二材料的折射率大于第一材料的折射率。

    半导体装置及其制造方法
    8.
    发明授权
    半导体装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110770914B

    公开(公告)日：2024-03-01

    申请号：CN201880035386.6

    申请日：2018-10-25

    申请人： 富士电机株式会社

    发明人： 三塚要 ,  高桥美咲 ,  白川彻

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

    摘要： 提供晶体管部和二极管部的导通特性优良的半导体装置。提供具有晶体管部与二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的第一阱区，其设置在半导体基板的上表面侧；第二导电型的阳极区，其在二极管部，设置在半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的第一高浓度区，其在阳极区与第一阱区之间，与第一阱区接触地设置，并且掺杂浓度比阳极区的掺杂浓度高。

    宽带隙半导体装置
    9.
    发明授权
    宽带隙半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN111295763B

    公开(公告)日：2023-12-29

    申请号：CN201780096412.1

    申请日：2017-11-13

    申请人： 新电元工业株式会社

    发明人： 中村俊一

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/12

    摘要： 宽带隙半导体装置具有：使用第一导电型的宽带隙半导体材料的漂移层12；由设置在所述漂移层12上的第二导电型组成的阱区20；设置在所述阱区20上的源极区域30；设置在所述阱区20上的且电连接于栅极焊盘120的栅极接触区域103；以及设置在所述阱区20上的且是设置在所述源极区域30与所述栅极接触区域103之间的齐纳二极管区域100。