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公开(公告)号：CN112310103A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911379538.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11521 , H01L27/11551
Abstract: 垂直半导体装置及用于制造垂直半导体装置的方法可以包括：在下部结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；通过蚀刻交替层叠物形成开口；在形成有开口的交替层叠物上形成非共形的阻挡层；将沉积抑制剂吸附在阻挡层的表面上，以将非共形的阻挡层转换为上面吸附有沉积抑制剂的共形的阻挡层；以及在共形的阻挡层上形成电荷储存层。
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公开(公告)号：CN112310103B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201911379538.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 垂直半导体装置及用于制造垂直半导体装置的方法可以包括：在下部结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；通过蚀刻交替层叠物形成开口；在形成有开口的交替层叠物上形成非共形的阻挡层；将沉积抑制剂吸附在阻挡层的表面上，以将非共形的阻挡层转换为上面吸附有沉积抑制剂的共形的阻挡层；以及在共形的阻挡层上形成电荷储存层。
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公开(公告)号：CN112802851A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010517797.8
申请日：2020-06-09
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L21/02 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 形成薄层的方法及使用其制造非易失性存储器装置的方法。一种制造非易失性存储器装置的方法包括在具有源极层的半导体基板上形成栅极绝缘层。该方法还包括在栅极绝缘层上形成具有经缓冲处理的上表面的氮化硅层，其中，氮化硅层的经缓冲处理的上表面的硬度高于氮化硅层的硬度。方法还包括在氮化硅层的经缓冲处理的上表面上形成氧化硅层。方法附加地包括在氧化硅层上交替地形成附加的氮化硅层和附加的氧化硅层以形成层叠结构。
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公开(公告)号：CN112582423B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010510824.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 制造半导体装置的方法。公开了一种具有改进的电特性的半导体装置及其制造方法，该方法可包括以下步骤：形成多个介电层和多个牺牲层交替地层叠在基板上的交替层叠物；在交替层叠物中形成第一贯通部分；通过第一贯通部分蚀刻牺牲层的第一部分，以在多个介电层之间形成横向凹陷；形成隔离在横向凹陷中的多个电荷捕获层；通过蚀刻保留有牺牲层的第二部分的交替层叠物来形成第二贯通部分；通过第二贯通部分去除牺牲层的第二部分，以形成暴露电荷捕获层的非平坦表面的栅极凹陷；将电荷捕获层的非平坦表面平坦化；以及形成填充栅极凹陷的栅电极。
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公开(公告)号：CN117858510A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202310460918.3
申请日：2023-04-25
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 一种半导体装置的制造方法可以包括：形成包括交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；在层叠物中形成开口；在开口中形成第一种子层；通过对第一种子层进行表面处理来形成第一缓冲层；以及通过经由第一缓冲层氧化第一种子层来形成阻挡层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111477630B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910991281.4
申请日：2019-10-18
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 非易失性存储器装置及其制造方法。一种用于制造三维(3D)非易失性存储器(NVM)装置的方法包括：形成包括交替层叠的多个第一材料层和多个层间绝缘层的层叠结构；形成穿透层叠结构的至少一个沟道孔；沿着至少一个沟道孔形成第二材料层；修整第二材料层的表面；对整个经修整的第二材料层进行氧化以形成电荷阻挡层的至少一部分；以及在电荷阻挡层上形成电荷储存层和隧道绝缘层。
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公开(公告)号：CN112071845B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201911355131.0
申请日：2019-12-25
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 存储器装置以及制造该存储器装置的方法。公开了一种存储器装置及其制造方法，该方法可包括：在基板上方形成介电层和牺牲层交替地层叠的交替层叠物，各个牺牲层是多孔材料和非多孔材料的组合；形成穿透交替层叠物的垂直沟道孔；通过氧化工艺将位于垂直沟道孔的侧壁上的牺牲层的暴露表面转换为阻挡层；在垂直沟道孔中形成接触阻挡层的垂直沟道结构；以及利用导电层替换牺牲层的未转换部分，其中，各个导电层包括接触各个阻挡层的圆状边缘。
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公开(公告)号：CN112582423A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010510824.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 制造半导体装置的方法。公开了一种具有改进的电特性的半导体装置及其制造方法，该方法可包括以下步骤：形成多个介电层和多个牺牲层交替地层叠在基板上的交替层叠物；在交替层叠物中形成第一贯通部分；通过第一贯通部分蚀刻牺牲层的第一部分，以在多个介电层之间形成横向凹陷；形成隔离在横向凹陷中的多个电荷捕获层；通过蚀刻保留有牺牲层的第二部分的交替层叠物来形成第二贯通部分；通过第二贯通部分去除牺牲层的第二部分，以形成暴露电荷捕获层的非平坦表面的栅极凹陷；将电荷捕获层的非平坦表面平坦化；以及形成填充栅极凹陷的栅电极。
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公开(公告)号：CN112071845A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201911355131.0
申请日：2019-12-25
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 存储器装置以及制造该存储器装置的方法。公开了一种存储器装置及其制造方法，该方法可包括：在基板上方形成介电层和牺牲层交替地层叠的交替层叠物，各个牺牲层是多孔材料和非多孔材料的组合；形成穿透交替层叠物的垂直沟道孔；通过氧化工艺将位于垂直沟道孔的侧壁上的牺牲层的暴露表面转换为阻挡层；在垂直沟道孔中形成接触阻挡层的垂直沟道结构；以及利用导电层替换牺牲层的未转换部分，其中，各个导电层包括接触各个阻挡层的圆状边缘。
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公开(公告)号：CN111477630A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910991281.4
申请日：2019-10-18
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 非易失性存储器装置及其制造方法。一种用于制造三维(3D)非易失性存储器(NVM)装置的方法包括：形成包括交替层叠的多个第一材料层和多个层间绝缘层的层叠结构；形成穿透层叠结构的至少一个沟道孔；沿着至少一个沟道孔形成第二材料层；修整第二材料层的表面；对整个经修整的第二材料层进行氧化以形成电荷阻挡层的至少一部分；以及在电荷阻挡层上形成电荷储存层和隧道绝缘层。
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