公开(公告)号：CN111373546B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN201780096406.6

申请日：2017-11-13

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 中村俊一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的宽带隙半导体装置，包括：使用第一导电型的宽带隙半导体材料的漂移层12；由形成在所述漂移层12上的第二导电型构成的多个阱区20；所述阱区20以及所述漂移层12中设置在所述阱区20之间的多晶硅层150；设置在所述多晶硅层150上的层间绝缘膜65；设置在所述层间绝缘膜65上的栅极衬垫120；以及与所述多晶硅层150电气连接的源极衬垫110。

公开(公告)号：CN111742412B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201880089875.X

申请日：2018-03-29

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 中村俊一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及的宽带隙半导体装置，包括：第一MOSFET区域(M0)，具有第一栅电极10、以及设置在由第二导电型构成的第一阱区20的第一源极区域30；第二MOSFET区域(M1)，设置在栅极焊盘100的下方，具有第二栅电极110、以及设置在由第二导电型构成的第二阱区120的第二源极区域130；以及内置二极管区域，与第二栅电极110电气连接，其中，第二MOSFET区域(M1)的第二源极区域120与栅极焊盘100电气连接。

公开(公告)号：CN114946037A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180008405.8

申请日：2021-03-23

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  中村俊一 ,  大贯仁

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明的宽带隙半导体装置，包括：宽间隙半导体层；以及金属层20，设置在所述宽间隙半导体层上，其中，所述金属层20在与所述宽间隙半导体层之间的界面的界面区域处具有单晶层21，在将构成所述金属层20的金属的平衡状态下的晶格常数设为L的情况下，所述界面区域处的所述单晶层21包含第一区域，该第一区域的晶格常数L1比L小1.5％～8％。

公开(公告)号：CN105431949B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201580001289.1

申请日：2015-07-10

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 井上徹人 ,  菅井昭彦 ,  中村俊一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明的半导体装置100把元件部分170和栅极基座部分180共同配置在同一宽隙半导体基片110上，元件部分170的第1沟道结构146具有多个比栅极沟道118深的第1保护沟道142以及第1埋置层144；栅极基座部分180的第2沟道结构156具有多个第2保护沟道152以及第2埋置层154；第2沟道结构156具有p型的第2半导体区域158以及由导电体构成的第2埋置层,或者，由形成肖特基接触的金属层构成的第2埋置层的任意一项；第2埋置层154与源极电极层128处于电气连接。按照本发明的半导体装置100，就能够成为耐压强度高，电气特性难以产生偏差，并且，高速开关成为可能，栅极基座部分难以击穿的半导体装置。

公开(公告)号：CN106575610A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580007867.2

申请日：2015-08-12

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 福田祐介 ,  渡部善之 ,  中村俊一

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/268 ,  H01L21/329 ,  H01L29/868

Abstract: 一种碳化硅半导体装置的制造方法，依次包含：研磨工序，通过从第二主面114侧对碳化硅半导体基体110进行研磨，从而在所第二主面形成凹凸；金属薄膜形成工序，在碳化硅半导体基体的第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜118；激光照射工序，通过对金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将金属薄膜加热，从而在碳化硅半导体基体与金属薄膜的境界面形成金属碳化物120；蚀刻工序，将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层122利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及电极形成工序，在金属碳化物上形成阴电极126。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，是一种不存在碳析出问题，并且能够以低成本制造具有良好电阻特性以及粘着特性的欧姆电极的碳化硅半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN111295764B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201780096413.6

申请日：2017-11-13

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 中村俊一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明的宽带隙半导体装置，包括：第一导电型的漂移层12；由形成在漂移层上的第二导电型构成的阱区20；设置在阱区20上的源极区域31；设置在漂移层12以及阱区20上的栅极绝缘膜60；设置在栅极绝缘膜60与阱区20之间的场绝缘膜62；设置在栅极绝缘膜60上的栅电极125；以及与栅电极125电气连接的栅极衬垫120，其中，场绝缘膜62具有在面方向上延伸的凹部，阱区20具有与设置在凹部处的源极衬垫110电气连接的阱接触区域21。

公开(公告)号：CN111295763B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN201780096412.1

申请日：2017-11-13

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 中村俊一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/12

Abstract: 宽带隙半导体装置具有：使用第一导电型的宽带隙半导体材料的漂移层12；由设置在所述漂移层12上的第二导电型组成的阱区20；设置在所述阱区20上的源极区域30；设置在所述阱区20上的且电连接于栅极焊盘120的栅极接触区域103；以及设置在所述阱区20上的且是设置在所述源极区域30与所述栅极接触区域103之间的齐纳二极管区域100。

公开(公告)号：CN111727506B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201880083604.3

申请日：2018-02-13

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 涩川昭彦 ,  前山雄介 ,  中村俊一

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明的半导体装置包括：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；形成在漂移层的一个主面上的接合区域；包含第二导电型掺杂物的结终端扩展区域；以及包含比结终端扩展区域更高浓度的第二导电型掺杂物的保护环区域，其特征在于：在结终端扩展区域中，第二导电型掺杂物的从一个主面向深度方向的浓度在从一个主面到达第一深度为止是上升的，一个主面处的第二导电型掺杂物的浓度小于等于第一深度处的第二导电型掺杂物的浓度的十分之一，且高于漂移层处的第一导电型掺杂物的浓度。

公开(公告)号：CN115989584A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052727.2

申请日：2021-08-25

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  中村俊一 ,  大贯仁

IPC: H01L29/47

Abstract: 本发明的宽带隙半导体装置具有宽带隙半导体层10、以及设置在所述宽带隙半导体层10上的金属电极20。所述金属电极20在靠近所述宽带隙半导体层10的金属电极20侧的界面区域上具有由六方最密堆积结构(HCP)构成的单晶层21。所述单晶层21具有含O、S、P或Se的指定元素含量区域22。

公开(公告)号：CN111295763A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201780096412.1

申请日：2017-11-13

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 中村俊一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/12

Abstract: 宽带隙半导体装置具有：使用第一导电型的宽带隙半导体材料的漂移层12；由设置在所述漂移层12上的第二导电型组成的阱区20；设置在所述阱区20上的源极区域30；设置在所述阱区20上的且电连接于栅极焊盘120的栅极接触区域103；以及设置在所述阱区20上的且是设置在所述源极区域30与所述栅极接触区域103之间的齐纳二极管区域100。