公开(公告)号：CN115989584A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052727.2

申请日：2021-08-25

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  中村俊一 ,  大贯仁

IPC: H01L29/47

Abstract: 本发明的宽带隙半导体装置具有宽带隙半导体层10、以及设置在所述宽带隙半导体层10上的金属电极20。所述金属电极20在靠近所述宽带隙半导体层10的金属电极20侧的界面区域上具有由六方最密堆积结构(HCP)构成的单晶层21。所述单晶层21具有含O、S、P或Se的指定元素含量区域22。

公开(公告)号：CN114946037A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180008405.8

申请日：2021-03-23

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  中村俊一 ,  大贯仁

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明的宽带隙半导体装置，包括：宽间隙半导体层；以及金属层20，设置在所述宽间隙半导体层上，其中，所述金属层20在与所述宽间隙半导体层之间的界面的界面区域处具有单晶层21，在将构成所述金属层20的金属的平衡状态下的晶格常数设为L的情况下，所述界面区域处的所述单晶层21包含第一区域，该第一区域的晶格常数L1比L小1.5％～8％。