公开(公告)号：CN111727506A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201880083604.3

申请日：2018-02-13

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 涩川昭彦 ,  前山雄介 ,  中村俊一

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明的半导体装置包括：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；形成在漂移层的一个主面上的接合区域；包含第二导电型掺杂物的结终端扩展区域；以及包含比结终端扩展区域更高浓度的第二导电型掺杂物的保护环区域，其特征在于：在结终端扩展区域中，第二导电型掺杂物的从一个主面向深度方向的浓度在从一个主面到达第一深度为止是上升的，一个主面处的第二导电型掺杂物的浓度小于等于第一深度处的第二导电型掺杂物的浓度的十分之一，且高于漂移层处的第一导电型掺杂物的浓度。

公开(公告)号：CN111727506B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201880083604.3

申请日：2018-02-13

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 涩川昭彦 ,  前山雄介 ,  中村俊一

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明的半导体装置包括：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；形成在漂移层的一个主面上的接合区域；包含第二导电型掺杂物的结终端扩展区域；以及包含比结终端扩展区域更高浓度的第二导电型掺杂物的保护环区域，其特征在于：在结终端扩展区域中，第二导电型掺杂物的从一个主面向深度方向的浓度在从一个主面到达第一深度为止是上升的，一个主面处的第二导电型掺杂物的浓度小于等于第一深度处的第二导电型掺杂物的浓度的十分之一，且高于漂移层处的第一导电型掺杂物的浓度。