公开(公告)号：CN107799458B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201710763389.9

申请日：2017-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 刘志方 ,  安热利克·雷利 ,  高明辉

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明描述了自对准多重图案化的原位间隔件整形的方法和系统。在实施方案中，在衬底上形成间隔件图案的方法可以包括提供具有间隔件的衬底。该方法还可以包括执行钝化处理以在间隔件上形成钝化层。此外，该方法可以包括执行间隔件整形处理以对间隔件进行整形。该方法还可以包括控制钝化处理和间隔件整形处理以实现间隔件形成目的。

公开(公告)号：CN107799458A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710763389.9

申请日：2017-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 刘志方 ,  安热利克·雷利 ,  高明辉

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明描述了自对准多重图案化的原位间隔件整形的方法和系统。在实施方案中，在衬底上形成间隔件图案的方法可以包括提供具有间隔件的衬底。该方法还可以包括执行钝化处理以在间隔件上形成钝化层。此外，该方法可以包括执行间隔件整形处理以对间隔件进行整形。该方法还可以包括控制钝化处理和间隔件整形处理以实现间隔件形成目的。

公开(公告)号：CN119816939A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063673.9

申请日：2023-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胡山 ,  刘志方 ,  张贺楠 ,  桑吉塔·库玛丽 ,  彼得·德埃利亚

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/764 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213

Abstract: 在本披露中提供了在金属互连部之间形成气隙的改进的工艺流程和方法的实施例。更具体地，本披露提供了改进的工艺流程和方法，这些工艺流程和方法利用湿法蚀刻工艺来在形成于图案化衬底上的金属互连部之间形成凹陷部。与常规气隙集成方法不同，本文所描述的改进的工艺流程和方法利用由湿法蚀刻工艺提供的临界尺寸(CD)依赖性蚀刻以比在该图案化衬底的周围区域中蚀刻金属间介电材料更快的速率蚀刻在这些金属互连部之间形成的该金属间介电材料。这使得本文所描述的改进的工艺流程和方法能够在不使用干法蚀刻工艺的情况下在金属互连部之间形成凹陷部(并且随后形成气隙)。

公开(公告)号：CN117751443A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280032255.9

申请日：2022-05-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 韩蕴 ,  刘志方 ,  尤凯鸿 ,  张仕昇 ,  阿洛科·兰詹

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/311

Abstract: 一种方法包括：提供衬底，该衬底包括沿该衬底的表面交替布置的金属栅极叠层和源极/漏极接触区，这些源极/漏极接触区中的每一个凹陷在相邻的金属栅极叠层之间的相应开口内，使得这些源极/漏极接触区提供该开口的底部并且相邻的金属栅极叠层提供侧壁，并且该衬底包括电介质，该电介质覆盖衬底使得该电介质填充每个开口。将该衬底暴露于初始等离子体蚀刻工艺，以从每个开口向下移除该电介质的第一部分至第一深度，并且在该衬底上形成牺牲栅极覆盖层，同时保持这些开口中的每一个不被覆盖。将该衬底暴露于另一等离子体蚀刻工艺，以移除该牺牲栅极覆盖层，同时从每个开口向下移除该电介质的第二部分至第二深度。