公开(公告)号：CN117751443A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280032255.9

申请日：2022-05-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 韩蕴 ,  刘志方 ,  尤凯鸿 ,  张仕昇 ,  阿洛科·兰詹

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/311

Abstract: 一种方法包括：提供衬底，该衬底包括沿该衬底的表面交替布置的金属栅极叠层和源极/漏极接触区，这些源极/漏极接触区中的每一个凹陷在相邻的金属栅极叠层之间的相应开口内，使得这些源极/漏极接触区提供该开口的底部并且相邻的金属栅极叠层提供侧壁，并且该衬底包括电介质，该电介质覆盖衬底使得该电介质填充每个开口。将该衬底暴露于初始等离子体蚀刻工艺，以从每个开口向下移除该电介质的第一部分至第一深度，并且在该衬底上形成牺牲栅极覆盖层，同时保持这些开口中的每一个不被覆盖。将该衬底暴露于另一等离子体蚀刻工艺，以移除该牺牲栅极覆盖层，同时从每个开口向下移除该电介质的第二部分至第二深度。

公开(公告)号：CN117242547A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280032710.5

申请日：2022-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金允镐 ,  张度 ,  张仕昇 ,  王明美 ,  安德鲁·梅斯

IPC: H01L21/033

Abstract: 用于处理衬底的方法包括进行包括多个循环的循环工艺，其中该循环工艺包括：在等离子体处理室中，通过以下在含碳层中的凹部的侧壁上形成钝化层：将该衬底暴露于包括硼、硅或铝的第一气体，该含碳层设置在衬底上，用包括含氢气体、含氧气体或分子氮的第二气体吹扫该等离子体处理室，并将该衬底暴露于由该第二气体产生的等离子体，其中该多个循环中的每个循环使该凹部竖直地延伸到该含碳层中。