公开(公告)号：CN119400751A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411326296.6

申请日：2024-09-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  褚衍邦 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。该方法包括：在衬底上形成第一晶体管，第一晶体管包括第一源漏金属和第一栅极金属；在第一源漏金属上形成第一硬掩膜，并在第一栅极金属上形成第二硬掩膜，在第一硬掩膜和第二硬掩膜上形成第一介质层；刻蚀第一介质层的第一区域以及第一硬掩膜以形成第一凹槽，并基于第一凹槽在第一源漏金属上形成第一金属互联结构；和/或，刻蚀第一介质层的第二区域以及第二硬掩膜以形成第二凹槽，并基于第二凹槽在第一栅极金属上形成第二金属互联结构。通过本申请，可以降低半导体结构的制备难度，提高产品良率。

公开(公告)号：CN119153396A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411091895.4

申请日：2024-08-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的漏极互连方法、晶体管、器件及设备。其中，漏极互连方法包括：形成包括自对准的第一晶体管和第二晶体管的倒装堆叠晶体管；在形成第一晶体管的第一栅极结构之后，且在形成第二晶体管之前，基于第一晶体管的第一栅极结构，形成第一绝缘层和第一栅极切断结构，第一绝缘层用于保护第一栅极结构；在形成第二晶体管的第二栅极结构之后，基于第二栅极结构，形成第二绝缘层和第二栅极切断结构，第二绝缘层用于保护第二栅极结构；基于第一栅极切断结构和第二栅极切断结构，形成互连结构；基于第二源漏结构，形成第二晶体管的第二源漏金属，第二源漏金属通过互连结构与第一源漏金属连接。本申请可以实现漏极互连的自对准。

公开(公告)号：CN118943140A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410923757.1

申请日：2024-07-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  郭睿 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及设备。半导体结构，包括：第一正面晶体管和第二正面晶体管；第一背面晶体管和第二背面晶体管；第一介质墙结构；第一正面晶体管和第二正面晶体管对称设置在第一介质墙结构的两侧；第二介质墙结构；第一背面晶体管和第二背面晶体管对称设置在第二介质墙结构的两侧；第一电源轨结构；第一电源轨结构与正面晶体管的源漏结构或背面晶体管的源漏结构连接；第二电源轨结构；第二电源轨结构与背面晶体管的源漏结构或正面晶体管的源漏结构连接；其中，第一电源轨结构和第二电源轨结构堆叠设置在第一介质墙结构和第二介质墙结构之间；第一电源轨结构的正投影和第二电源轨结构的正投影重叠。

公开(公告)号：CN118571840A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410759412.7

申请日：2024-06-13

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  卜伟海 ,  周发龙 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上以第一方向依次堆叠设置第一鳍状结构、中间介质层和第二鳍状结构；在第二方向上，刻蚀所述中间介质层位于所述第一晶体管的第一栅极区域中的至少一部分，以暴露所述第一鳍状结构的第一表面的至少一部分；基于暴露后的第一鳍状结构，形成所述第一晶体管；倒片并去除所述衬底；在所述第二方向上，刻蚀所述中间介质层位于所述第二晶体管的第二栅极区域中的至少一部分，以暴露所述第二鳍状结构的第二表面的至少一部分；基于暴露后的第二鳍状结构，形成所述第二晶体管。通过本申请，可以有效提高半导体结构的电学性能。

公开(公告)号：CN118538669A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410759971.8

申请日：2024-06-13

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  卜伟海 ,  张丽杰 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：提供一衬底；刻蚀衬底，以形成有源结构；在有源结构和衬底上沉积绝缘材料，以形成浅槽隔离结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；其中，第一晶体管的第一栅极结构在第一晶体管的第一栅极区域中包裹第一有源结构和中间隔离层的第一部分，和/或，第二晶体管的第二栅极结构在第二晶体管的第二栅极区域中包裹第二有源结构和中间隔离层的第二部分；第一部分为中间隔离层中靠近第一有源结构的一部分，第二部分为中间隔离层中靠近第二有源结构的一部分。通过本申请，可以有效改善第一晶体管和第二晶体管之间的耦合问题。

公开(公告)号：CN118352310A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410178652.8

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/528 ,  H05K1/18

Abstract: 本申请为堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及电子设备，提供一种堆叠叉板晶体管的电源轨的连接方法、堆叠叉板晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成第一半导体结构；在第一半导体结构上形成第一电源轨；在第一电源轨上形成第一介电壁结构；去除第二牺牲层，并在第一源极结构中形成与第一电源轨连接的第一金属连通结构；在第二半导体结构和第三半导体结构上形成第一金属互连层；将第二半导体结构和第三半导体结构进行倒片；去除衬底和浅沟槽牺牲层的一部分，直至暴露出一对有源结构的第二部分；在一对有源结构的第二部分之间形成第二介电壁结构；在第四半导体结构和第五半导体结构上形成第二金属互连层。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。

公开(公告)号：CN118352304A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410298794.8

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括正面有源结构和背面有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面伪栅结构或背面栅极结构、背面源漏结构和背面层间介质层；依次对背面伪栅结构或背面栅极结构、背面源漏结构、背面有源结构、正面源漏结构、正面有源结构和正面栅极结构进行光刻，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积介电材料，以形成介质叉板结构；形成背面金属互连层；正面晶体管和背面晶体管自对准。通过本申请，可以简化工艺流程。

公开(公告)号：CN118352296A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410305045.3

申请日：2024-03-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第二有源结构相比于第一有源结构靠近半导体衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；第一晶体管包括第一源漏结构；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；第二晶体管包括第二源漏结构；在形成第一源漏结构和/或第二源漏结构之前，形成隔离层；隔离层位于堆叠晶体管的源漏区域内，且隔离层用于电学隔离位于源漏区域内的第一源漏结构和第二源漏结构。

公开(公告)号：CN117116858B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202310987549.3

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分；在衬底上形成浅沟槽隔离层，以覆盖第二部分；在浅沟槽隔离层之上形成刻蚀阻挡层；基于所述第一部分，形成底层晶体管；倒片并刻蚀衬底以及浅沟槽隔离层，以暴露刻蚀阻挡层以及第二部分；基于第二部分形成顶层晶体管。底层晶体管的第一栅极结构与顶层晶体管的第二栅极结构位于刻蚀阻挡层相对的两侧。

公开(公告)号：CN118073279A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410178542.1

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  江循 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  林亦波 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H05K1/18

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管的正面器件层；在正面器件层上进行后道工艺处理，以形成正面互连层；第一正面互连层、第二正面互连层和第三正面互连层中的任意两个互连层电学连接；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面器件层；在背面器件层上进行后道工艺处理，以形成背面互连层；第一背面互连层、第二背面互连层和第三背面互连层中的任意两个互连层电学连接。通过本申请，可以提高半导体结构的空间利用率。