公开(公告)号：CN119400751A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411326296.6

申请日：2024-09-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  褚衍邦 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。该方法包括：在衬底上形成第一晶体管，第一晶体管包括第一源漏金属和第一栅极金属；在第一源漏金属上形成第一硬掩膜，并在第一栅极金属上形成第二硬掩膜，在第一硬掩膜和第二硬掩膜上形成第一介质层；刻蚀第一介质层的第一区域以及第一硬掩膜以形成第一凹槽，并基于第一凹槽在第一源漏金属上形成第一金属互联结构；和/或，刻蚀第一介质层的第二区域以及第二硬掩膜以形成第二凹槽，并基于第二凹槽在第一栅极金属上形成第二金属互联结构。通过本申请，可以降低半导体结构的制备难度，提高产品良率。

公开(公告)号：CN119403209A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411522068.6

申请日：2024-10-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  褚衍邦 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D62/10

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管的第一伪栅结构；倒片并减薄衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管的第二伪栅结构；刻蚀预设高度的位于第二晶体管的第二源漏区域中的第二层间介质层，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积第一掩模材料，以形成第一硬掩模；暴露位于第一晶体管的第一栅极区域中的第一有源结构和位于第二晶体管的第二栅极区域中的第二有源结构；形成第一晶体管的第一栅极介质层和第二晶体管的第二栅极介质层；形成第二晶体管的第二栅极结构和第二金属互连层；倒片并暴露第一有源结构；形成第一晶体管的第一栅极结构和第一金属互连层。