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公开(公告)号：CN119815903A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411916365.9
申请日：2024-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成半导体结构，半导体结构至少包括依次堆叠的牺牲层、第一半导体结构和第二半导体结构；刻蚀源漏区域的半导体结构，并在源漏区域的牺牲层对应的区域内填充绝缘材料，以形成占位结构；在占位结构上，通过前道工艺，基于第一半导体结构，形成第一晶体管的第一部分，第一部分至少包括第一源漏结构；基于第二半导体结构，形成第二晶体管；对第二晶体管进行倒片，并暴露占位结构；去除占位结构，以形成第一晶体管的第一源漏接触金属；通过后道工艺，在第一源漏接触金属上形成第一晶体管的第一金属互连层。本申请可以实现顶部晶体管与底部晶体管的自对准接触。
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公开(公告)号：CN119400751A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411326296.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。该方法包括：在衬底上形成第一晶体管，第一晶体管包括第一源漏金属和第一栅极金属；在第一源漏金属上形成第一硬掩膜，并在第一栅极金属上形成第二硬掩膜，在第一硬掩膜和第二硬掩膜上形成第一介质层；刻蚀第一介质层的第一区域以及第一硬掩膜以形成第一凹槽，并基于第一凹槽在第一源漏金属上形成第一金属互联结构；和/或，刻蚀第一介质层的第二区域以及第二硬掩膜以形成第二凹槽，并基于第二凹槽在第一栅极金属上形成第二金属互联结构。通过本申请，可以降低半导体结构的制备难度，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN119364884A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411372588.3
申请日：2024-09-29
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该半导体结构包括在第一方向上堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构为互补金属氧化物半导体(CMOS)，第二半导体结构为CMOS图像传感器；该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；第一半导体结构包括第一极性的第一晶体管和第二极性的第二晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；第二半导体结构包括第一极性的第三晶体管和图像传感器单元；第三晶体管和图像传感器单元在第二方向上并排设置。
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公开(公告)号：CN119300346A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411258204.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 北京大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一有源结构、半导体结构和第二有源结构，第一有源结构的掺杂浓度与第二有源结构的掺杂浓度相同，半导体结构的掺杂浓度与第一有源结构的掺杂浓度不同；基于第一有源结构，形成第一存储器；对第一存储器进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构和半导体结构；在BL区域内的半导体结构的两侧沉积金属材料，以形成金属结构，金属结构将半导体结构与相邻的半导体结构连通；基于第二有源结构，形成第二存储器，第一存储器的第一源漏结构和第二存储器的第二源漏结构共用半导体结构和金属结构。本申请可以提高存储器的集成度。
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公开(公告)号：CN119156001A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411136041.3
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构和第一有源结构，第一半导体结构的掺杂浓度与第二有源结构的掺杂浓度相同；在第一半导体结构上靠近第一有源结构的区域内进行离子注入，以形成位于第一半导体结构和第一有源结构之间的BL结构，第一半导体结构、BL结构和第一有源结构在BL区域自对准；基于第一有源结构，形成第一存储器；对第一存储器进行倒片并去除衬底，以暴露第一半导体结构；在BL区域刻蚀第一半导体结构，形成第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二存储器，第一存储器的第一源漏结构和第二存储器的第二源漏结构共用BL结构。本申请可以提高存储器的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119153396A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411091895.4
申请日：2024-08-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/77 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的漏极互连方法、晶体管、器件及设备。其中，漏极互连方法包括：形成包括自对准的第一晶体管和第二晶体管的倒装堆叠晶体管；在形成第一晶体管的第一栅极结构之后，且在形成第二晶体管之前，基于第一晶体管的第一栅极结构，形成第一绝缘层和第一栅极切断结构，第一绝缘层用于保护第一栅极结构；在形成第二晶体管的第二栅极结构之后，基于第二栅极结构，形成第二绝缘层和第二栅极切断结构，第二绝缘层用于保护第二栅极结构；基于第一栅极切断结构和第二栅极切断结构，形成互连结构；基于第二源漏结构，形成第二晶体管的第二源漏金属，第二源漏金属通过互连结构与第一源漏金属连接。本申请可以实现漏极互连的自对准。
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公开(公告)号：CN119133103A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411109208.7
申请日：2024-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/07 , H01L29/78 , H01L21/762
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；衬底包括横向扩散区域和核心区域；在横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区；刻蚀横向扩散区域和核心区域，以形成鳍状结构；鳍状结构包括沿第一方向堆叠设置的第一鳍状结构和第二鳍状结构；对第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽；在第一鳍切沟槽中填充氧化物；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；对第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；在第二鳍切沟槽中填充氧化物；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以实现横向扩散器件与堆叠晶体管之间的工艺兼容。
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公开(公告)号：CN118943140A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410923757.1
申请日：2024-07-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/085 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/82 , H01L21/8238
Abstract: 本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及设备。半导体结构，包括：第一正面晶体管和第二正面晶体管；第一背面晶体管和第二背面晶体管；第一介质墙结构；第一正面晶体管和第二正面晶体管对称设置在第一介质墙结构的两侧；第二介质墙结构；第一背面晶体管和第二背面晶体管对称设置在第二介质墙结构的两侧；第一电源轨结构；第一电源轨结构与正面晶体管的源漏结构或背面晶体管的源漏结构连接；第二电源轨结构；第二电源轨结构与背面晶体管的源漏结构或正面晶体管的源漏结构连接；其中，第一电源轨结构和第二电源轨结构堆叠设置在第一介质墙结构和第二介质墙结构之间；第一电源轨结构的正投影和第二电源轨结构的正投影重叠。
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公开(公告)号：CN118571840A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410759412.7
申请日：2024-06-13
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上以第一方向依次堆叠设置第一鳍状结构、中间介质层和第二鳍状结构；在第二方向上，刻蚀所述中间介质层位于所述第一晶体管的第一栅极区域中的至少一部分，以暴露所述第一鳍状结构的第一表面的至少一部分；基于暴露后的第一鳍状结构，形成所述第一晶体管；倒片并去除所述衬底；在所述第二方向上，刻蚀所述中间介质层位于所述第二晶体管的第二栅极区域中的至少一部分，以暴露所述第二鳍状结构的第二表面的至少一部分；基于暴露后的第二鳍状结构，形成所述第二晶体管。通过本申请，可以有效提高半导体结构的电学性能。
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公开(公告)号：CN118538670A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410778408.5
申请日：2024-06-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成一对有源结构，一对有源结构之间存在间隔，一对有源结构包括一对第一有源结构和一对第二有源结构；在一对有源结构的间隔中依次形成隔离层和介电结构，隔离层包裹介电结构；基于一对第一有源结构，形成正面晶体管；去除位于一对第一有源结构的间隔中的隔离层，以形成第一凹槽；在正面晶体管的栅极区域内，形成正面晶体管的正面栅极结构，第一凹槽内存在金属材料；倒片并去除衬底，以暴露一对第二有源结构；基于形成正面晶体管的正面栅极结构相同的方法，形成背面晶体管的背面栅极结构。本申请中的正背面晶体管均为四栅器件，能够增强栅控作用。
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