公开(公告)号：CN118899260A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410980601.7

申请日：2024-07-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的接口引出方法、晶体管、器件及设备。该方法包括：基于一倒装堆叠晶体管，形成第一金属互连层和第二金属互连层，倒装堆叠晶体管包括自对准的第一晶体管和第二晶体管，第二金属互连层、第二晶体管、第一晶体管以及第一金属互连层沿第一方向依次堆叠；形成再布线RDL层以及形成于RDL层上的第一载片层，第一金属互连层通过RDL层与第一载片层连接；在第二金属互连层上形成第二载片层，第二载片层与第二金属互连层连接。本申请可以实现倒装堆叠晶体管双面输入输出接口的引出。

公开(公告)号：CN118299331A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410248616.4

申请日：2024-03-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/085

Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括正面有源结构和背面有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管；正面晶体管和背面晶体管自对准；其中，堆叠叉板晶体管的介质叉板结构贯穿正面有源结构和背面有源结构，介质叉板结构将正面有源结构分为对称设置的两部分，介质叉板结构将背面有源结构分为对称设置的两部分，介质叉板结构为采用非均匀沉积形成的，介质叉板结构内部具有空气间隙。通过本申请，可以有效降低电容。

公开(公告)号：CN118039565A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410121713.7

申请日：2024-01-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  刘煜 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。方法包括：形成第一半导体结构；第一半导体结构包括：衬底结构和有源结构；在第一半导体结构的衬底结构上的栅极区域沉积绝缘材料，形成栅介质层；栅介质层包裹有源结构；基于被栅介质层包裹的第一部分，形成第一晶体管；第一晶体管包括第一金属互连层；第一半导体结构进行倒片，基于被栅介质层包裹的第二部分，形成第二晶体管；第二晶体管包括第二金属互连层。可见，在上下两层晶体管制备过程中，通过先制备栅介质层，再形成上下两层晶体管的金属互连层，使得在形成金属互连层时，可以消除栅介质层对互连通孔的阻塞，从而保证上下两层晶体管的栅极结构与金属互连层之间的连接。

公开(公告)号：CN119403125A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411522195.6

申请日：2024-10-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上沿第一方向依次堆叠形成第一材料层和第二材料层，第一材料层的掺杂浓度和第二材料层的掺杂浓度不同；在WL区域刻蚀第一材料层和第二材料层，以形成半导体结构和BL结构；在WL区域内的BL结构的两侧沉积绝缘介质，以形成介质层；倒片并去除衬底，以暴露半导体结构；在BL区域内刻蚀半导体结构，以形成有源结构；基于有源结构，形成存储器，BL结构作为存储器中的晶体管的源漏结构。本申请通过在WL区域内的BL结构的两侧形成介质层，可以降低BL结构的寄生电容，有利于器件性能的优化。

公开(公告)号：CN118116930A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410165142.7

申请日：2024-02-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  刘煜 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/50 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：堆叠晶体管，堆叠晶体管包括由上至下堆叠的第一晶体管和第二晶体管；电源轨结构，电源轨结构包括第一电源轨和第二电源轨，第一电源轨位于堆叠晶体管之上且耦接第一晶体管的源极，第一电源轨被配置为提供第一电压，第二电源轨位于堆叠晶体管之下且耦接第二晶体管的源极，第二电源轨被配置为提供第二电压；其中，第二电压和第一电压不同；第二电源轨的正投影和第一电源轨的正投影基本重叠。

公开(公告)号：CN119300346A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411258204.5

申请日：2024-09-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一有源结构、半导体结构和第二有源结构，第一有源结构的掺杂浓度与第二有源结构的掺杂浓度相同，半导体结构的掺杂浓度与第一有源结构的掺杂浓度不同；基于第一有源结构，形成第一存储器；对第一存储器进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构和半导体结构；在BL区域内的半导体结构的两侧沉积金属材料，以形成金属结构，金属结构将半导体结构与相邻的半导体结构连通；基于第二有源结构，形成第二存储器，第一存储器的第一源漏结构和第二存储器的第二源漏结构共用半导体结构和金属结构。本申请可以提高存储器的集成度。

公开(公告)号：CN119156001A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411136041.3

申请日：2024-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构和第一有源结构，第一半导体结构的掺杂浓度与第二有源结构的掺杂浓度相同；在第一半导体结构上靠近第一有源结构的区域内进行离子注入，以形成位于第一半导体结构和第一有源结构之间的BL结构，第一半导体结构、BL结构和第一有源结构在BL区域自对准；基于第一有源结构，形成第一存储器；对第一存储器进行倒片并去除衬底，以暴露第一半导体结构；在BL区域刻蚀第一半导体结构，形成第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二存储器，第一存储器的第一源漏结构和第二存储器的第二源漏结构共用BL结构。本申请可以提高存储器的集成度。

公开(公告)号：CN118538670A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410778408.5

申请日：2024-06-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成一对有源结构，一对有源结构之间存在间隔，一对有源结构包括一对第一有源结构和一对第二有源结构；在一对有源结构的间隔中依次形成隔离层和介电结构，隔离层包裹介电结构；基于一对第一有源结构，形成正面晶体管；去除位于一对第一有源结构的间隔中的隔离层，以形成第一凹槽；在正面晶体管的栅极区域内，形成正面晶体管的正面栅极结构，第一凹槽内存在金属材料；倒片并去除衬底，以暴露一对第二有源结构；基于形成正面晶体管的正面栅极结构相同的方法，形成背面晶体管的背面栅极结构。本申请中的正背面晶体管均为四栅器件，能够增强栅控作用。

公开(公告)号：CN118352310A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410178652.8

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/528 ,  H05K1/18

Abstract: 本申请为堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及电子设备，提供一种堆叠叉板晶体管的电源轨的连接方法、堆叠叉板晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成第一半导体结构；在第一半导体结构上形成第一电源轨；在第一电源轨上形成第一介电壁结构；去除第二牺牲层，并在第一源极结构中形成与第一电源轨连接的第一金属连通结构；在第二半导体结构和第三半导体结构上形成第一金属互连层；将第二半导体结构和第三半导体结构进行倒片；去除衬底和浅沟槽牺牲层的一部分，直至暴露出一对有源结构的第二部分；在一对有源结构的第二部分之间形成第二介电壁结构；在第四半导体结构和第五半导体结构上形成第二金属互连层。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。

公开(公告)号：CN118352304A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410298794.8

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括正面有源结构和背面有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面伪栅结构或背面栅极结构、背面源漏结构和背面层间介质层；依次对背面伪栅结构或背面栅极结构、背面源漏结构、背面有源结构、正面源漏结构、正面有源结构和正面栅极结构进行光刻，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积介电材料，以形成介质叉板结构；形成背面金属互连层；正面晶体管和背面晶体管自对准。通过本申请，可以简化工艺流程。