公开(公告)号：CN107039436B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201710017588.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔成贤 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  徐元吾

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。

公开(公告)号：CN107039436A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710017588.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔成贤 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  徐元吾

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L23/26 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。

公开(公告)号：CN110098123A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201811451762.8

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈铉准 ,  徐元吾 ,  金善政 ,  朴起演

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括在基板上形成鳍型结构、使用第一工艺在鳍型结构上形成具有第一厚度的界面膜、使用与第一工艺不同的第二工艺在界面膜上形成具有第二厚度的栅极电介质膜、以及使用与第一工艺和第二工艺不同的第三工艺使栅极电介质膜致密化。第二厚度可以大于第一厚度，并且在栅极电介质膜的致密化之后，界面膜的第一厚度可以不变。