-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109801845A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811327957.1
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底突出并沿第一方向延伸的鳍型图案；在衬底上形成覆盖鳍型图案的有限部分的场绝缘层，使得场绝缘层露出鳍型图案的另外的有限部分；在场绝缘层和鳍型图案上形成栅极结构，栅极结构沿第二方向延伸，第二方向与第一方向不同；在场绝缘层的第一区域中形成包含氮元素的第一阻挡层，其中，第一区域由栅极结构露出，第一区域与栅极结构相邻并沿第二方向延伸；在第一阻挡层上和在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔物。
-
公开(公告)号：CN110164956B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910481251.9
申请日：2014-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/223 , H01L21/8234 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。
-
公开(公告)号：CN110164956A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910481251.9
申请日：2014-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/223 , H01L21/8234 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。
-
公开(公告)号：CN104637820B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201410646259.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。
-
公开(公告)号：CN104637820A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410646259.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.026 seconds)
