公开(公告)号：CN112701154A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011121554.9

申请日：2020-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  金茶惠 ,  金真范 ,  崔广寅 ,  慎一揆 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出，在与衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并包括第一半导体材料；隔离层，布置在衬底上并覆盖鳍型有源区的侧壁的下部，隔离层包括共形地布置在鳍型有源区的侧壁的下部上的绝缘衬层以及绝缘衬层上的绝缘填充层；覆盖层，围绕鳍型有源区的上表面和侧壁，包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中，覆盖层具有上表面、侧壁以及在上表面与侧壁之间的刻面表面；以及栅极结构，布置在覆盖层上并在与第一方向垂直的第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN119789453A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411837087.8

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  李承勋 ,  金茶惠 ,  慎一揆 ,  李商文 ,  崔庆寅

IPC: H10D30/01 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，从衬底突出并包括多个堆叠的半导体图案；栅极图案，设置在有源图案上并与有源图案交叉；栅极绝缘图案，在有源图案和栅极图案之间；栅极间隔物，在栅极图案的侧部处并且在有源图案上；以及盖图案，设置在有源图案和栅极间隔物之间并与有源图案物理接触，其中盖图案具有晶体结构。

公开(公告)号：CN113889533A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110748137.5

申请日：2021-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金茶惠 ,  金真范 ,  金傔 ,  金度希 ,  金东宇 ,  李承勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：包括鳍型有源区的衬底，鳍型有源区在第一方向上延伸；在鳍型有源区上的多个沟道层，多个沟道层包括在垂直于衬底的上表面的方向上彼此脱离直接接触的最上面的沟道层、最下面的沟道层和居间的沟道层；围绕多个沟道层并在与第一方向交叉的第二方向上延伸的栅电极；在多个沟道层和栅电极之间的栅极绝缘膜；以及电连接到多个沟道层的源极/漏极区。在沿第二方向截取的截面中，最上面的沟道层具有比居间的沟道层的宽度大的宽度。

公开(公告)号：CN113725218A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110338820.1

申请日：2021-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  金茶惠 ,  金锡勋 ,  金在文 ,  慎一揆 ,  柳亥俊 ,  崔庆寅 ,  黄棋铉 ,  李商文 ,  李承勋 ,  赵槿汇

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的有源图案；在有源图案上的一对源极/漏极图案；在所述一对源极/漏极图案之间的沟道图案，该沟道图案包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案；以及栅电极，与沟道图案重叠并在第一方向上延伸。所述一对源极/漏极图案中的一个包括第一半导体层和其上的第二半导体层。第一半导体层与第一半导体图案接触，该第一半导体图案是堆叠的半导体图案之一。第一半导体图案、第一半导体层和第二半导体层在第一方向上的最大宽度分别是第一宽度、第二宽度、第三宽度，第二宽度大于第一宽度并且小于第三宽度。

公开(公告)号：CN112017965B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202010360788.2

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  李承勋 ,  金茶惠 ,  慎一揆 ,  李商文 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成有源图案，有源图案包括交替地堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案；在有源图案的顶表面和侧壁上形成盖图案；在盖图案上执行沉积工艺以形成绝缘层；以及在绝缘层上形成与有源图案交叉的牺牲栅极图案。盖图案具有晶体结构并且与第一半导体图案的侧壁和第二半导体图案的侧壁物理接触。

公开(公告)号：CN109801845A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811327957.1

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹健浩 ,  金大中 ,  金在文 ,  朴文汉 ,  车泰昊 ,  韩在钟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底突出并沿第一方向延伸的鳍型图案；在衬底上形成覆盖鳍型图案的有限部分的场绝缘层，使得场绝缘层露出鳍型图案的另外的有限部分；在场绝缘层和鳍型图案上形成栅极结构，栅极结构沿第二方向延伸，第二方向与第一方向不同；在场绝缘层的第一区域中形成包含氮元素的第一阻挡层，其中，第一区域由栅极结构露出，第一区域与栅极结构相邻并沿第二方向延伸；在第一阻挡层上和在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔物。

公开(公告)号：CN114823509A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111286592.4

申请日：2021-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度希 ,  金傔 ,  金真范 ,  金在文 ,  李承勳

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 公开了一种集成电路(IC)装置。所述集成电路(IC)装置包括：鳍型有源区，在基底上沿第一横向方向延伸；栅极线，在鳍型有源区上沿第二横向方向延伸；绝缘间隔件，覆盖栅极线的侧壁；源极/漏极区，位于与栅极线相邻的位置处；金属硅化物膜，覆盖源极/漏极区的顶表面；以及源极/漏极接触件，在第一横向方向上与栅极线分开并且绝缘间隔件位于源极/漏极接触件与栅极线之间。源极/漏极接触件包括与金属硅化物膜的顶表面接触的底接触段和一体地连接到底接触段的上接触段。在第一横向方向上底接触段的宽度大于上接触段的至少一部分的宽度。

公开(公告)号：CN112017965A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010360788.2

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  李承勋 ,  金茶惠 ,  慎一揆 ,  李商文 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成有源图案，有源图案包括交替地堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案；在有源图案的顶表面和侧壁上形成盖图案；在盖图案上执行沉积工艺以形成绝缘层；以及在绝缘层上形成与有源图案交叉的牺牲栅极图案。盖图案具有晶体结构并且与第一半导体图案的侧壁和第二半导体图案的侧壁物理接触。