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公开(公告)号：CN112701154A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011121554.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/092
Abstract: 公开了一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出，在与衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并包括第一半导体材料；隔离层，布置在衬底上并覆盖鳍型有源区的侧壁的下部，隔离层包括共形地布置在鳍型有源区的侧壁的下部上的绝缘衬层以及绝缘衬层上的绝缘填充层；覆盖层，围绕鳍型有源区的上表面和侧壁，包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中，覆盖层具有上表面、侧壁以及在上表面与侧壁之间的刻面表面；以及栅极结构，布置在覆盖层上并在与第一方向垂直的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN117352512A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310796854.4
申请日：2023-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件，包括在衬底上并在第一方向上突出的下部图案，在下部图案上并包括与下部图案接触的半导体衬垫膜的源极/漏极图案、以及沿着半导体衬垫膜的侧壁的至少一部分延伸的外延绝缘衬垫，其中外延绝缘衬垫与半导体衬垫膜接触，其中半导体衬垫膜包括第一部分，其中半导体衬垫膜的第一部分包括在第一高度处与下部图案间隔开的第一点以及在第二高度处与下部图案间隔开的第二点，其中第二高度大于第一高度，其中半导体衬垫膜在第一点处在第二方向上的宽度小于半导体衬垫膜在第二点处在第二方向上的宽度，并且其中外延绝缘衬垫沿着半导体衬垫膜的第一部分的侧壁的至少一部分延伸。
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公开(公告)号：CN113725218A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110338820.1
申请日：2021-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的有源图案；在有源图案上的一对源极/漏极图案；在所述一对源极/漏极图案之间的沟道图案，该沟道图案包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案；以及栅电极，与沟道图案重叠并在第一方向上延伸。所述一对源极/漏极图案中的一个包括第一半导体层和其上的第二半导体层。第一半导体层与第一半导体图案接触，该第一半导体图案是堆叠的半导体图案之一。第一半导体图案、第一半导体层和第二半导体层在第一方向上的最大宽度分别是第一宽度、第二宽度、第三宽度，第二宽度大于第一宽度并且小于第三宽度。
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公开(公告)号：CN119789453A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411837087.8
申请日：2020-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，从衬底突出并包括多个堆叠的半导体图案；栅极图案，设置在有源图案上并与有源图案交叉；栅极绝缘图案，在有源图案和栅极图案之间；栅极间隔物，在栅极图案的侧部处并且在有源图案上；以及盖图案，设置在有源图案和栅极间隔物之间并与有源图案物理接触，其中盖图案具有晶体结构。
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公开(公告)号：CN115528111A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210253468.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L29/08
Abstract: 公开了半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，位于基底上；源极/漏极图案，位于有源图案上；沟道图案，位于有源图案上，连接到源极/漏极图案，并且包括堆叠的半导体图案；栅电极，在第一方向上延伸并与沟道图案叠置；以及栅极绝缘层，位于栅电极与沟道图案之间。源极/漏极图案包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括中心部分和边缘部分，中心部分包括与栅极绝缘层接触的第二外侧表面，边缘部分与中心部分的一侧相邻并且包括与栅极绝缘层接触的第一外侧表面。与第一外侧表面相比，第二外侧表面进一步朝向第二半导体层凹陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113889533A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110748137.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：包括鳍型有源区的衬底，鳍型有源区在第一方向上延伸；在鳍型有源区上的多个沟道层，多个沟道层包括在垂直于衬底的上表面的方向上彼此脱离直接接触的最上面的沟道层、最下面的沟道层和居间的沟道层；围绕多个沟道层并在与第一方向交叉的第二方向上延伸的栅电极；在多个沟道层和栅电极之间的栅极绝缘膜；以及电连接到多个沟道层的源极/漏极区。在沿第二方向截取的截面中，最上面的沟道层具有比居间的沟道层的宽度大的宽度。
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公开(公告)号：CN119947235A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411479999.2
申请日：2024-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：多个下沟道图案，彼此间隔开；多个上沟道图案，在所述多个下沟道图案上彼此间隔开；栅极结构，围绕所述多个下沟道图案和所述多个上沟道图案；下源极/漏极沟槽，位于所述多个下沟道图案的至少一侧；上源极/漏极沟槽，位于所述多个上沟道图案的至少一侧；下源极/漏极图案，位于下源极/漏极沟槽内；以及上源极/漏极图案，包括位于上源极/漏极沟槽的相对侧壁上的第一上源极/漏极层以及位于第一上源极/漏极层之间的第二上源极/漏极层，其中第一上源极/漏极层不覆盖上源极/漏极沟槽的底表面的至少一部分。
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公开(公告)号：CN117276322A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310677619.5
申请日：2023-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种具有改进的性能和可靠性的半导体器件。半导体器件可以包括在第一方向上延伸的下部图案以及在垂直于第一方向的第二方向上与下部图案间隔开的多个片状图案。多个栅极结构可以在下部图案上并且在第一方向上间隔开，源极/漏极图案可以包括半导体衬垫膜和在半导体衬垫膜上的半导体填充膜。由半导体衬垫膜的内表面限定的衬垫凹陷可以包括多个宽度延伸区域，并且随着在第二方向上距下部图案的上表面的距离增大，每个宽度延伸区域在第一方向上的宽度可以增大然后减小。
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公开(公告)号：CN112017965A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010360788.2
申请日：2020-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成有源图案，有源图案包括交替地堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案；在有源图案的顶表面和侧壁上形成盖图案；在盖图案上执行沉积工艺以形成绝缘层；以及在绝缘层上形成与有源图案交叉的牺牲栅极图案。盖图案具有晶体结构并且与第一半导体图案的侧壁和第二半导体图案的侧壁物理接触。
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公开(公告)号：CN119403217A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410577243.5
申请日：2024-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了一种半导体器件。所述半导体器件包括在衬底上位于有源区域上方的下沟道层和上沟道层。所述半导体器件还包括设置在所述下沟道层与所述上沟道层之间的中间绝缘结构。所述半导体器件包括：栅极结构，围绕所述沟道层；以及下源极/漏极区域和上源极/漏极区域，在所述栅极结构的至少一侧设置在所述有源区域上。阻挡结构在所述下源极/漏极区域与所述上源极/漏极区域之间。所述下源极/漏极区域和所述上源极/漏极区域可以各自分别填充下凹陷区域或上凹陷区域。这些凹陷区域由相应的沟道层、所述栅极结构和所述阻挡结构限定。所述上凹陷区域和所述下凹陷区域的侧表面斜率可以变化，并且所述凹陷区域的侧表面斜率可以彼此不同。
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