公开(公告)号：CN102856383B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201210226910.2

申请日：2012-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴兴圭 ,  金男奎 ,  宋宇彬 ,  郑秀珍 ,  金永弼 ,  李炳讃 ,  李善佶

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板和在该基板上且彼此间隔开的第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域。沟道区域在该基板上且位于第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域之间。栅极电极位于沟道区域上。沟道区域是外延层，且第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域向沟道区域施加应力。

公开(公告)号：CN102856383A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210226910.2

申请日：2012-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴兴圭 ,  金男奎 ,  宋宇彬 ,  郑秀珍 ,  金永弼 ,  李炳讃 ,  李善佶

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板和在该基板上且彼此间隔开的第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域。沟道区域在该基板上且位于第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域之间。栅极电极位于沟道区域上。沟道区域是外延层，且第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域向沟道区域施加应力。

公开(公告)号：CN104103687B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201410136127.6

申请日：2014-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  权兑昱 ,  郑秀珍 ,  金永弼 ,  李炳赞 ,  具本荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：鳍，在基板上；栅电极，在基板上交叉鳍；源/漏极，形成在栅电极的两侧的至少一个上，并包括第一膜和第二膜；以及应力膜，布置在基板上的隔离膜与源/漏极之间，并形成在鳍的侧表面上。

公开(公告)号：CN104103687A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410136127.6

申请日：2014-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  权兑昱 ,  郑秀珍 ,  金永弼 ,  李炳赞 ,  具本荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：鳍，在基板上；栅电极，在基板上交叉鳍；源/漏极，形成在栅电极的两侧的至少一个上，并包括第一膜和第二膜；以及应力膜，布置在基板上的隔离膜与源/漏极之间，并形成在鳍的侧表面上。