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公开(公告)号：CN102856383A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210226910.2
申请日：2012-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66621 , H01L29/66651 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板和在该基板上且彼此间隔开的第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域。沟道区域在该基板上且位于第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域之间。栅极电极位于沟道区域上。沟道区域是外延层，且第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域向沟道区域施加应力。
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公开(公告)号：CN102856383B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201210226910.2
申请日：2012-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66621 , H01L29/66651 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板和在该基板上且彼此间隔开的第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域。沟道区域在该基板上且位于第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域之间。栅极电极位于沟道区域上。沟道区域是外延层，且第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域向沟道区域施加应力。
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公开(公告)号：CN1681103A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510053088.4
申请日：2005-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/823481 , H01L29/0653 , H01L29/66545 , H01L29/66621
Abstract: 提供形成半导体器件的方法。如此蚀刻半导体衬底，以便于半导体衬底限定出沟槽和初步有源图形。沟槽具有底面和侧壁。在沟槽的底面和侧壁上提供绝缘层，并在绝缘层上如此形成隔离物，以便于隔离物在沟槽的侧壁上和沟槽的一部分底面上。如此除去沟槽底面上和隔离物下方的绝缘层，以便于至少部分暴露沟槽的一部分底面，将隔离物与沟槽的底面间隔开，并部分地暴露初步有源图形的一部分。部分地除去初步有源图形的暴露部分的一部分，以提供在隔离物下方限定出凹陷部分的有源图形。在有源图形的凹陷部分中形成掩埋绝缘层。还提供相关的器件。
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公开(公告)号：CN1681103B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200510053088.4
申请日：2005-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/823481 , H01L29/0653 , H01L29/66545 , H01L29/66621
Abstract: 提供形成半导体器件的方法。如此蚀刻半导体衬底，以便于半导体衬底限定出沟槽和初步有源图形。沟槽具有底面和侧壁。在沟槽的底面和侧壁上提供绝缘层，并在绝缘层上如此形成隔离物，以便于隔离物在沟槽的侧壁上和沟槽的一部分底面上。如此除去沟槽底面上和隔离物下方的绝缘层，以便于至少部分暴露沟槽的一部分底面，将隔离物与沟槽的底面间隔开，并部分地暴露初步有源图形的一部分。部分地除去初步有源图形的暴露部分的一部分，以提供在隔离物下方限定出凹陷部分的有源图形。在有源图形的凹陷部分中形成掩埋绝缘层。还提供相关的器件。
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