公开(公告)号：CN103296088A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310061264.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠浩 ,  李东矩 ,  李丞哲 ,  李炯锡 ,  南善娥 ,  吴昌佑 ,  李钟昱 ,  S-Y.韩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。

公开(公告)号：CN101009247A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710004096.9

申请日：2007-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  姜声官 ,  李钟昱

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/8221

Abstract: 提供了一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层以形成多个开口，其露出在开口底部的衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过利用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单晶半导体膜。

公开(公告)号：CN101330085A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810127774.5

申请日：2008-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟昱 ,  孙龙勋 ,  崔时荣

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7841 ,  H01L21/268 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802

Abstract: 一种半导体存储器件及其形成方法。存储单元晶体管包括其上具有第一导电型(例如N型)的第一杂质区的半导体基底。其上具有第一导电型的第二杂质区的U形半导体层被提供在第一杂质区上。提供栅极绝缘层，其排列成U形半导体层的底部和内侧壁。栅极电极被提供在栅极绝缘层上。栅极电极被围绕在U形半导体层的内侧壁。提供字线，电性连接到栅极电极，且提供位线，电性连接到第二杂质区。

公开(公告)号：CN1681103A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510053088.4

申请日：2005-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  崔诗荣 ,  李炳讃 ,  李钟昱 ,  丁仁洙 ,  李德炯

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621

Abstract: 提供形成半导体器件的方法。如此蚀刻半导体衬底，以便于半导体衬底限定出沟槽和初步有源图形。沟槽具有底面和侧壁。在沟槽的底面和侧壁上提供绝缘层，并在绝缘层上如此形成隔离物，以便于隔离物在沟槽的侧壁上和沟槽的一部分底面上。如此除去沟槽底面上和隔离物下方的绝缘层，以便于至少部分暴露沟槽的一部分底面，将隔离物与沟槽的底面间隔开，并部分地暴露初步有源图形的一部分。部分地除去初步有源图形的暴露部分的一部分，以提供在隔离物下方限定出凹陷部分的有源图形。在有源图形的凹陷部分中形成掩埋绝缘层。还提供相关的器件。

公开(公告)号：CN101483194B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200810154762.1

申请日：2008-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  李钟昱

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11556

Abstract: 本发明公开了一种垂直型非易失性存储器器件及其制造方法。在该半导体器件及其制造方法中，器件包括沿水平方向延伸的单晶半导体材料的衬底以及在该衬底上的多个层间电介质层。多个栅极图案被提供，每个栅极图案在相邻下层间电介质层与相邻上层间电介质层之间。单晶半导体材料的垂直沟道沿垂直方向延伸穿过多个层间电介质层和栅极图案，栅极绝缘层在每个栅极图案与垂直沟道之间并使栅极图案与垂直沟道绝缘。

公开(公告)号：CN101005017B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710002314.5

申请日：2007-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  姜声官 ,  李钟昱

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L23/00 ,  C30B1/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2026

Abstract: 一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层，以形成多个开口，该开口在开口的底部露出衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一激光照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过使用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单半导体晶体膜。

公开(公告)号：CN101005017A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710002314.5

申请日：2007-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  姜声官 ,  李钟昱

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L23/00 ,  C30B1/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2026

Abstract: 一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层，以形成多个开口，该开口在开口的底部露出衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一激光照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过使用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单半导体晶体膜。

公开(公告)号：CN106252417A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610833928.7

申请日：2013-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴昌佑 ,  闵信喆 ,  李钟昱 ,  李忠浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种具有不同鳍宽的半导体器件。半导体器件，包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；第一鳍部，其布置在第一区域上并且从衬底的顶表面突出；第二鳍部，其布置在第二区域上并且从衬底的顶表面突出；第一隔离件，其接触第一鳍部；以及第二隔离件，其接触第二鳍部。第一鳍部的上部从第一隔离件突出，第二鳍部的上部从第二隔离件突出，N型晶体管位于第一区域中，P型晶体管位于第二区域中，并且第一鳍部的上部的宽度不同于第二鳍部的上部的宽度。

公开(公告)号：CN103325736A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310087395.9

申请日：2013-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴昌佑 ,  闵信喆 ,  李钟昱 ,  李忠浩

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了具有不同鳍宽的鳍式场效应晶体管的制作方法。该方法包括：准备具有第一区域和第二区域的衬底；在第一区域和第二区域上形成鳍部，每个鳍部从所述衬底上突出且具有第一宽度；形成第一掩模图案，以暴露第一区域上的鳍部并覆盖第二区域上的鳍部；以及改变第一区域上的鳍部的宽度。

公开(公告)号：CN1681103B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200510053088.4

申请日：2005-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  崔诗荣 ,  李炳讃 ,  李钟昱 ,  丁仁洙 ,  李德炯

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621

Abstract: 提供形成半导体器件的方法。如此蚀刻半导体衬底，以便于半导体衬底限定出沟槽和初步有源图形。沟槽具有底面和侧壁。在沟槽的底面和侧壁上提供绝缘层，并在绝缘层上如此形成隔离物，以便于隔离物在沟槽的侧壁上和沟槽的一部分底面上。如此除去沟槽底面上和隔离物下方的绝缘层，以便于至少部分暴露沟槽的一部分底面，将隔离物与沟槽的底面间隔开，并部分地暴露初步有源图形的一部分。部分地除去初步有源图形的暴露部分的一部分，以提供在隔离物下方限定出凹陷部分的有源图形。在有源图形的凹陷部分中形成掩埋绝缘层。还提供相关的器件。