公开(公告)号：CN103296088A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310061264.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠浩 ,  李东矩 ,  李丞哲 ,  李炯锡 ,  南善娥 ,  吴昌佑 ,  李钟昱 ,  S-Y.韩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。

公开(公告)号：CN103296088B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310061264.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠浩 ,  李东矩 ,  李丞哲 ,  李炯锡 ,  南善娥 ,  吴昌佑 ,  李钟昱 ,  S-Y.韩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。