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公开(公告)号：CN103296088B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201310061264.3
申请日：2013-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/6681 , H01L21/02255 , H01L21/32053 , H01L21/76224 , H01L27/092 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。
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公开(公告)号：CN112951821A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011400976.X
申请日：2020-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种半导体器件包括第一外部虚设区域和第二外部虚设区域以及位于所述第一外部虚设区域和所述第二外部虚设区域之间的电路区域。所述电路区域包括电路有源区和电路栅极线。每个外部虚设区域包括外部虚设有源区和与所述外部虚设有源区交叠并且与所述电路栅极线间隔开的外部虚设栅极线。所述外部虚设有源区具有在第一水平方向上延伸的线形形状，或包括隔离成彼此不直接接触并且在所述第一水平方向上顺序地延伸的有源部分的形状。所述电路有源区位于所述第一外部虚设有源区和所述第二外部虚设有源区之间，并且包括在所述第一水平方向上顺序地延伸的第一多个电路有源区以及在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上顺序地延伸的第二多个电路有源区。
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公开(公告)号：CN116847957A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202180092991.9
申请日：2021-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B25J9/16
Abstract: 一种机器人，包括至少一个电机，驱动所述机器人以执行预定运动；存储器，存储运动图数据库和包括一个或多个指令的程序；以及至少一个处理器，被电连接到所述至少一个电机和存储器，所述至少一个处理器被配置为：基于用户输入获得输入运动标识符，识别指示所述机器人是否在执行运动的运动状态，基于运动状态处于活跃状态，将输入运动标识符存储在存储器中，以及基于所述运动状态处于空闲状态：基于预定标准从存储在存储器中的至少一个运动标识符确定活跃运动标识符；以及基于运动图数据库控制所述至少一个电机以驱动与活跃运动标识符对应的运动。
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公开(公告)号：CN103296088A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310061264.3
申请日：2013-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/6681 , H01L21/02255 , H01L21/32053 , H01L21/76224 , H01L27/092 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。
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