公开(公告)号：CN109037215B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201810475600.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 钱钰博 ,  金柄成 ,  朴哲弘 ,  李海王

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一逻辑单元及第二逻辑单元，在衬底上在第一方向上彼此相邻；栅极电极，在第一逻辑单元及第二逻辑单元的每一者中在第一方向上延伸；电源线，在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸；以及连接结构，将电源线电连接到第一逻辑单元的有源图案及第二逻辑单元的有源图案。连接结构位于电源线下方且从第一逻辑单元延伸到第二逻辑单元。连接结构的顶表面处于比栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。在本发明的半导体器件中，单个连接结构可将电源线电连接到不同逻辑单元的源极/漏极区。由此，半导体器件的集成度可因此得到提高且制造可因此得到简化。

公开(公告)号：CN109326635B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201810770377.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 钱钰博 ,  金柄成 ,  金贤煜 ,  朴永国 ,  朴哲弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括第一导电元件、顺序地设置在第一导电元件上的第一绝缘层和第二绝缘层、穿过第一绝缘层和第二绝缘层的导电通路。导电通路连接到第一导电元件。该半导体器件包括设置在第二绝缘层中沿着第一绝缘层的上表面从导电通路的一个侧表面延伸的通路延伸部分、以及设置在第二绝缘层上连接到通路延伸部分的第二导电元件。

公开(公告)号：CN112951821A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011400976.X

申请日：2020-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南善娥 ,  姜秉柱 ,  金柄成 ,  金慧林 ,  朴圣镐 ,  钱钰博

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件包括第一外部虚设区域和第二外部虚设区域以及位于所述第一外部虚设区域和所述第二外部虚设区域之间的电路区域。所述电路区域包括电路有源区和电路栅极线。每个外部虚设区域包括外部虚设有源区和与所述外部虚设有源区交叠并且与所述电路栅极线间隔开的外部虚设栅极线。所述外部虚设有源区具有在第一水平方向上延伸的线形形状，或包括隔离成彼此不直接接触并且在所述第一水平方向上顺序地延伸的有源部分的形状。所述电路有源区位于所述第一外部虚设有源区和所述第二外部虚设有源区之间，并且包括在所述第一水平方向上顺序地延伸的第一多个电路有源区以及在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上顺序地延伸的第二多个电路有源区。

公开(公告)号：CN118693088A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410107207.2

申请日：2024-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  钱钰博 ,  姜铉在 ,  金庆燮 ,  金秀泰 ,  朴载镛 ,  丁全圆

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种集成电路器件。所述集成电路器件包括设置在基底上的第一导电图案、围绕第一导电图案的一部分并覆盖第一导电图案的侧壁的下部的第二导电图案、在第一导电图案和第二导电图案上的上绝缘结构、以及穿透上绝缘结构并在竖直方向上延伸的上导电图案，其中，上导电图案包括主插塞部分和竖直延伸件，主插塞部分在竖直方向上与第一导电图案和第二导电图案叠置，竖直延伸件从主插塞部分的一部分朝向基底延伸，覆盖第一导电图案的上侧壁的上部，并且在竖直方向上与第二导电图案叠置，虚设接触件形成在基底上的单扩散间断区域上。

公开(公告)号：CN109326635A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810770377.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 钱钰博 ,  金柄成 ,  金贤煜 ,  朴永国 ,  朴哲弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括第一导电元件、顺序地设置在第一导电元件上的第一绝缘层和第二绝缘层、穿过第一绝缘层和第二绝缘层的导电通路。导电通路连接到第一导电元件。该半导体器件包括设置在第二绝缘层中沿着第一绝缘层的上表面从导电通路的一个侧表面延伸的通路延伸部分、以及设置在第二绝缘层上连接到通路延伸部分的第二导电元件。

公开(公告)号：CN119153467A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410765115.3

申请日：2024-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁全圆 ,  钱钰博 ,  金秀泰 ,  朴载镛 ,  李珍雨

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，该衬底包括标准单元区域和至少部分地围绕标准单元区域的端接单元区域；第一有源图案，在标准单元区域中；第一布线，在第一方向上延伸并且在第一有源图案上；第一栅电极，在第二方向上延伸并且在第一有源图案上；第一栅极接触部；第二有源图案，在端接单元区域中；第二布线，在第一方向上延伸并且在第二有源图案上；第二栅电极，在第二方向上延伸并且在第二有源图案上；以及第二栅极接触部。

公开(公告)号：CN109037215A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810475600.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 钱钰博 ,  金柄成 ,  朴哲弘 ,  李海王

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一逻辑单元及第二逻辑单元，在衬底上在第一方向上彼此相邻；栅极电极，在第一逻辑单元及第二逻辑单元的每一者中在第一方向上延伸；电源线，在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸；以及连接结构，将电源线电连接到第一逻辑单元的有源图案及第二逻辑单元的有源图案。连接结构位于电源线下方且从第一逻辑单元延伸到第二逻辑单元。连接结构的顶表面处于比栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。在本发明的半导体器件中，单个连接结构可将电源线电连接到不同逻辑单元的源极/漏极区。由此，半导体器件的集成度可因此得到提高且制造可因此得到简化。