公开(公告)号：CN109326635A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810770377.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 钱钰博 ,  金柄成 ,  金贤煜 ,  朴永国 ,  朴哲弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括第一导电元件、顺序地设置在第一导电元件上的第一绝缘层和第二绝缘层、穿过第一绝缘层和第二绝缘层的导电通路。导电通路连接到第一导电元件。该半导体器件包括设置在第二绝缘层中沿着第一绝缘层的上表面从导电通路的一个侧表面延伸的通路延伸部分、以及设置在第二绝缘层上连接到通路延伸部分的第二导电元件。

公开(公告)号：CN109326635B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201810770377.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 钱钰博 ,  金柄成 ,  金贤煜 ,  朴永国 ,  朴哲弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括第一导电元件、顺序地设置在第一导电元件上的第一绝缘层和第二绝缘层、穿过第一绝缘层和第二绝缘层的导电通路。导电通路连接到第一导电元件。该半导体器件包括设置在第二绝缘层中沿着第一绝缘层的上表面从导电通路的一个侧表面延伸的通路延伸部分、以及设置在第二绝缘层上连接到通路延伸部分的第二导电元件。

公开(公告)号：CN109087915B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810587258.4

申请日：2018-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文祺 ,  金贤煜 ,  辛宗灿 ,  黄莉铃 ,  梁在锡 ,  郑臻愚

IPC: H10B10/00 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括栅极结构和邻近的接触。半导体器件包括连接到接触的连接器。在一些实施方式中，半导体器件包括连接到连接器的布线图案。此外，在一些实施方式中，连接器和半导体器件的第一单元与第二单元之间的边界相邻。

公开(公告)号：CN109087915A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810587258.4

申请日：2018-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文祺 ,  金贤煜 ,  辛宗灿 ,  黄莉铃 ,  梁在锡 ,  郑臻愚

IPC: H01L27/11 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括栅极结构和邻近的接触。半导体器件包括连接到接触的连接器。在一些实施方式中，半导体器件包括连接到连接器的布线图案。此外，在一些实施方式中，连接器和半导体器件的第一单元与第二单元之间的边界相邻。