公开(公告)号：CN114823321A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111177880.6

申请日：2021-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛宗灿 ,  朴昌敏

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：包括第一区域和在第一方向上与第一区域相邻的第二区域的衬底；相邻地设置在衬底上并且包括在第一方向上延伸的第一有源图案和与第一有源图案平行地延伸的第二有源图案的成对的有源图案；位于第一区域上并且在与第一方向相交的第二方向上延伸跨越第一有源图案和第二有源图案的第一栅电极；以及位于第二区域上并且在第二方向上延伸跨越第一有源图案和第二有源图案的第二栅电极。第一有源图案在第一区域上的宽度大于在第二区域上的宽度，第二有源图案在第一区域上的宽度大于在第二区域上的宽度，并且从第一区域到第二区域，第一有源图案与第二有源图案之间的间隔是恒定的。

公开(公告)号：CN114725062A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111217091.0

申请日：2021-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛宗灿 ,  申宇晸 ,  朴昌敏 ,  郑鲁永

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件，所述半导体器件包括位于衬底上的逻辑单元和位于所述逻辑单元上的第一金属层。所述第一金属层包括：在第一方向上延伸的第一电力线与第二电力线，以及分别布置在限定在所述第一电力线与所述第二电力线之间的第一互连轨道、第二互连轨道和第三互连轨道上的第一下互连线、第二下互连线和第三下互连线。所述第一下互连线包括彼此间隔开第一距离的第一互连线和第二互连线，并且所述第三下互连线包括彼此间隔开第二距离的第三互连线和第四互连线。所述第一互连线具有面向所述第二互连线的第一端，并且所述第三互连线具有面向所述第四互连线的第二端，所述第一端和所述第二端具有不同的曲率。

公开(公告)号：CN114678346A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111375811.6

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  金洛焕 ,  金完敦 ,  南瑞祐 ,  卢宣颖 ,  朴基澈 ,  辛宗灿 ,  李民主 ,  李贤培 ,  河承锡

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/092

Abstract: 公开一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；在基板上的第一层间电介质层；在第一层间电介质层中的多个第一通路；在第一层间电介质层上的第二层间电介质层；以及在第二层间电介质层中的第一电源线和第一下部线，电连接到第一通路中的相应的第一通路。第一电源线的在第一方向上的第一宽度大于第一下部线的在第一方向上的第二宽度。第一电源线包括第一金属材料。第一下部线包括第二金属材料。第一通路包括第三金属材料。第一金属材料、第二金属材料和第三金属材料彼此不同。

公开(公告)号：CN110364432A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910193558.9

申请日：2019-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛宗灿

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上依次形成目标层和第一掩模层；将所述第一掩模层图案化以在所述第一掩模层中形成第一开口；在所述第一开口的内壁上形成间隔物；在所述第一掩模层上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有与所述间隔物的至少一部分垂直交叠的第二开口；通过使用所述间隔物作为掩模来去除所述第一掩模层的暴露于所述第二开口的一部分，在所述第一掩模层中形成与所述第一开口相邻的第三开口；以及使用所述第一掩模层和所述间隔物作为掩模来将所述目标层图案化。

公开(公告)号：CN110364432B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201910193558.9

申请日：2019-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛宗灿

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上依次形成目标层和第一掩模层；将所述第一掩模层图案化以在所述第一掩模层中形成第一开口；在所述第一开口的内壁上形成间隔物；在所述第一掩模层上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有与所述间隔物的至少一部分垂直交叠的第二开口；通过使用所述间隔物作为掩模来去除所述第一掩模层的暴露于所述第二开口的一部分，在所述第一掩模层中形成与所述第一开口相邻的第三开口；以及使用所述第一掩模层和所述间隔物作为掩模来将所述目标层图案化。

公开(公告)号：CN109087915B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810587258.4

申请日：2018-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文祺 ,  金贤煜 ,  辛宗灿 ,  黄莉铃 ,  梁在锡 ,  郑臻愚

IPC: H10B10/00 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括栅极结构和邻近的接触。半导体器件包括连接到接触的连接器。在一些实施方式中，半导体器件包括连接到连接器的布线图案。此外，在一些实施方式中，连接器和半导体器件的第一单元与第二单元之间的边界相邻。

公开(公告)号：CN109087915A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810587258.4

申请日：2018-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文祺 ,  金贤煜 ,  辛宗灿 ,  黄莉铃 ,  梁在锡 ,  郑臻愚

IPC: H01L27/11 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括栅极结构和邻近的接触。半导体器件包括连接到接触的连接器。在一些实施方式中，半导体器件包括连接到连接器的布线图案。此外，在一些实施方式中，连接器和半导体器件的第一单元与第二单元之间的边界相邻。