公开(公告)号：CN118448415A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410708663.2

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  朴起丙 ,  吕京奂 ,  李承宰 ,  田炅烨 ,  河承锡 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了在衬底和/或鳍中包括器件隔离区的半导体器件。半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。

公开(公告)号：CN110690217A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910603188.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河承锡 ,  安国一 ,  赵槿汇 ,  金成玟

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了半导体器件和形成该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括衬底、在衬底上彼此相邻的成对半导体图案、在该成对半导体图案上的栅电极、连接到该成对半导体图案的源极/漏极图案、以及在该成对半导体图案的表面上的铁电图案。该成对半导体图案的所述表面可以彼此面对，并且铁电图案可以限定该成对半导体图案之间的第一空间。栅电极可以包括在第一空间中的功函数金属图案。

公开(公告)号：CN119677170A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410412149.4

申请日：2024-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  金汎镇 ,  安裕临 ,  李敬雨 ,  李敏丞 ,  李潓姈 ,  赵槿汇 ,  河承锡

IPC: H10D89/10 ,  H10D84/83

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置。半导体装置包括：绝缘层，其包括第一表面、第二表面和元件隔离沟槽；绝缘图案，其位于绝缘层的第一表面上；有源图案，其位于绝缘图案上并且包括沟道图案；源极/漏极图案，其位于有源图案的至少一侧上；下布线结构，其位于绝缘层的第二表面上；以及通孔件，其在绝缘层中延伸并且连接源极/漏极图案和下布线结构，其中，绝缘图案可以包括位于绝缘层和有源图案之间的第一部分、围绕通孔件的至少一部分的第二部分、以及位于元件隔离沟槽的底表面上的第三部分。

公开(公告)号：CN118016595A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311423533.6

申请日：2023-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭勋 ,  河承锡 ,  姜锡明 ,  南瑞祐

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成导电图案，导电图案上分别形成有停止层，衬底包括具有第一图案密度的第一区域和具有第二图案密度的第二区域，并且第二图案密度低于第一图案密度；在导电图案上形成第一层间绝缘层；暴露第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分，并且在第二区域上形成光刻胶图案；蚀刻第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分；执行第一抛光，以暴露停止层中在第一区域上的停止层的上表面；蚀刻停止层中在第一区域上的停止层；在导电图案上形成第二层间绝缘层；以及执行第二抛光，以暴露导电图案中在第一区域上的导电图案的上表面。

公开(公告)号：CN107689347B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201710659511.8

申请日：2017-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河大元 ,  河承锡 ,  洪炳鹤

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：图案化衬底以形成有源鳍，在衬底上形成交叉有源鳍的牺牲栅极图案，去除牺牲栅极图案以形成暴露有源鳍的间隙区，以及在由间隙区暴露的有源鳍中形成分离区。形成分离区包括在暴露的有源鳍中形成氧化物层、以及以杂质注入到暴露的有源鳍中而形成杂质区。

公开(公告)号：CN110690217B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201910603188.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河承锡 ,  安国一 ,  赵槿汇 ,  金成玟

IPC: H01L27/092

公开(公告)号：CN110828568A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910515825.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河承锡 ,  宋炫昇 ,  金孝珍 ,  朴敬美 ,  安国一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了具有栅极隔离层的半导体器件。一种半导体器件包括：具有第一区和第二区的衬底；第一有源鳍，其在第一区中在第一方向上延伸；第二有源鳍，其在第二区中在第一方向上延伸；第一场绝缘层，其位于第一有源鳍之间，并且在第二方向上延伸；第二场绝缘层，其位于第二有源鳍之间，并且在第二方向上延伸；栅极线，其在第二场绝缘层上在第二方向上延伸，栅极线与第一场绝缘层一起直线地布置；栅极隔离层，其位于第一场绝缘层与栅极线之间；以及栅极间隔件，其在第二方向上延伸，栅极间隔件与第一场绝缘层、栅极线和栅极隔离层中的每一个的两个侧壁接触。

公开(公告)号：CN110690288A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910605331.0

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安国一 ,  赵槿汇 ,  河大元 ,  河承锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、衬底上的栅极结构和栅极结构上的第一导电连接组。栅极结构包括栅极间隔件和栅电极。第一导电连接组包括铁电材料层。铁电材料层的至少一部分设置在栅极间隔件的上表面之上。

公开(公告)号：CN118870812A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410396756.6

申请日：2024-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭勋 ,  河承锡 ,  南瑞祐

IPC: H10B12/00

Abstract: 根据一些示例实施例的半导体器件可以包括：衬底，具有第一区域和第二区域；下层间绝缘层，在衬底的第一区域和第二区域上；上层间绝缘层，在下层间绝缘层上；过孔结构，在第一区域中穿透上层间绝缘层；多条金属布线，在过孔结构上沿第一方向延伸，并且电连接到过孔结构；沟槽，在第二区域中在与过孔结构的高度相同的高度上，并且在上层间绝缘层中；以及虚设布线层，沿沟槽、上层间绝缘层、以及下层间绝缘层的上表面具有弯曲结构。

公开(公告)号：CN118198002A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311521763.6

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李东翼 ,  金庆旼 ,  金菊喜 ,  金汎镇 ,  金荣佑 ,  罗相喆 ,  蔡命均 ,  河承锡

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有第一表面和面对第一表面的第二表面，并且在平面图中包括主芯片区域和围绕主芯片区域的密封区域；前布线层，其在半导体衬底的第一表面上，并且包括前布线结构；后布线层，其在半导体衬底的第二表面上，并且包括电力布线结构；前环结构，其在密封区域的前布线层中；以及后环结构，其在密封区域的后布线层中。