公开(公告)号：CN118198002A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311521763.6

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李东翼 ,  金庆旼 ,  金菊喜 ,  金汎镇 ,  金荣佑 ,  罗相喆 ,  蔡命均 ,  河承锡

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有第一表面和面对第一表面的第二表面，并且在平面图中包括主芯片区域和围绕主芯片区域的密封区域；前布线层，其在半导体衬底的第一表面上，并且包括前布线结构；后布线层，其在半导体衬底的第二表面上，并且包括电力布线结构；前环结构，其在密封区域的前布线层中；以及后环结构，其在密封区域的后布线层中。

公开(公告)号：CN118782612A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410410211.6

申请日：2024-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汎镇 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  金俊秀 ,  罗相喆 ,  李敬雨 ,  李东翼 ,  李敏丞 ,  蔡命均 ,  河承锡

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、在衬底的上表面上沿第一水平方向延伸的有源图案、在衬底的上表面上围绕有源图案的侧壁的场绝缘层、在有源图案上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸的第一栅电极、在有源图案上设置在第一栅电极的至少一侧上的源极/漏极区、在场绝缘层上覆盖源极/漏极区的上层间绝缘层、在垂直方向上穿透衬底、场绝缘层和上层间绝缘层并在第二水平方向与源极/漏极区间隔开的贯通通路、在第一栅电极的至少一侧上设置在上层间绝缘层内部并连接到源极/漏极区的源极/漏极接触、和设置在上层间绝缘层内部并连接到贯通通路和源极/漏极接触中的每一者的连接部分，其在第一水平方向上的宽度大于源极/漏极接触在第一水平方向上的宽度。

公开(公告)号：CN119677170A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410412149.4

申请日：2024-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  金汎镇 ,  安裕临 ,  李敬雨 ,  李敏丞 ,  李潓姈 ,  赵槿汇 ,  河承锡

IPC: H10D89/10 ,  H10D84/83

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置。半导体装置包括：绝缘层，其包括第一表面、第二表面和元件隔离沟槽；绝缘图案，其位于绝缘层的第一表面上；有源图案，其位于绝缘图案上并且包括沟道图案；源极/漏极图案，其位于有源图案的至少一侧上；下布线结构，其位于绝缘层的第二表面上；以及通孔件，其在绝缘层中延伸并且连接源极/漏极图案和下布线结构，其中，绝缘图案可以包括位于绝缘层和有源图案之间的第一部分、围绕通孔件的至少一部分的第二部分、以及位于元件隔离沟槽的底表面上的第三部分。