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公开(公告)号：CN118782612A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410410211.6
申请日：2024-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、在衬底的上表面上沿第一水平方向延伸的有源图案、在衬底的上表面上围绕有源图案的侧壁的场绝缘层、在有源图案上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸的第一栅电极、在有源图案上设置在第一栅电极的至少一侧上的源极/漏极区、在场绝缘层上覆盖源极/漏极区的上层间绝缘层、在垂直方向上穿透衬底、场绝缘层和上层间绝缘层并在第二水平方向与源极/漏极区间隔开的贯通通路、在第一栅电极的至少一侧上设置在上层间绝缘层内部并连接到源极/漏极区的源极/漏极接触、和设置在上层间绝缘层内部并连接到贯通通路和源极/漏极接触中的每一者的连接部分，其在第一水平方向上的宽度大于源极/漏极接触在第一水平方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN117995809A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311380183.X
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明构思的实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案，设置在基底的上表面上，并且具有不同宽度；第一栅极结构和第二栅极结构，分别与第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案交叉；第一源/漏区域和第二源/漏区域，分别设置在第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案上；第一接触结构和第二接触结构，分别连接到第一源/漏区域和第二源/漏区域；栅极隔离结构，与具有相对大的宽度的第一鳍式有源图案相邻；掩埋导电结构，接触栅极隔离结构的一个端表面，并且连接到第二接触结构；导电贯通结构，从基底的下表面延伸，并且连接到掩埋导电结构；以及第一布线层，电连接到第一接触结构和掩埋导电结构。
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公开(公告)号：CN117423697A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310821042.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/08 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体器件包括：平行有源区，在衬底上，并且在第一水平方向上延伸；栅结构，与有源区相交，在第二水平方向上延伸，并且包括在第二水平方向上彼此相对的第一栅结构和第二栅结构；源/漏区，包括第一源/漏区和第二源/漏区，在栅结构的至少一侧上并且在有源区上；栅分离图案，在第一栅结构和第二栅结构之间；竖直导电结构，在栅分离图案中；接触插塞，包括电连接到第一源/漏区和竖直导电结构的第一接触插塞、以及电连接到第二源/漏区并且与竖直导电结构间隔开的第二接触插塞；以及接触分离图案，分离第一接触插塞和第二接触插塞，并且具有接触竖直导电结构的上表面的部分。
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公开(公告)号：CN109755217A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811080856.9
申请日：2018-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/50
Abstract: 一种中介层包括：具有安装区域和测试区域的基板；彼此隔开的第一导电插塞，第一导电插塞沿着第一方向设置并设置到基板的测试区域中；第一线路图案组，包括设置在第一导电插塞的第一中心上的第一非导电图案和设置为桥接第一相邻对的第一导电插塞的第一外围的第一导电图案；以及第一焊盘，在第一线图案组的两个第一端处连接到第一导电图案。
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公开(公告)号：CN1649126A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510005832.3
申请日：2005-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76829
Abstract: 本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔；在该通孔之内形成导电层图案。
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公开(公告)号：CN1581476A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055814.1
申请日：2004-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/76847
Abstract: 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。
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公开(公告)号：CN119677170A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410412149.4
申请日：2024-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置。半导体装置包括：绝缘层，其包括第一表面、第二表面和元件隔离沟槽；绝缘图案，其位于绝缘层的第一表面上；有源图案，其位于绝缘图案上并且包括沟道图案；源极/漏极图案，其位于有源图案的至少一侧上；下布线结构，其位于绝缘层的第二表面上；以及通孔件，其在绝缘层中延伸并且连接源极/漏极图案和下布线结构，其中，绝缘图案可以包括位于绝缘层和有源图案之间的第一部分、围绕通孔件的至少一部分的第二部分、以及位于元件隔离沟槽的底表面上的第三部分。
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公开(公告)号：CN110828370B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910378795.2
申请日：2019-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：下布线；层间绝缘膜，位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分和第二部分具有相同的材料，第二部分具有小于第一密度的第二密度；上布线，位于层间绝缘膜的第二部分中；以及通路，至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中，通路连接上布线和下布线。
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公开(公告)号：CN118198031A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311525559.1
申请日：2023-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L25/16 , H10B80/00
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：电力传输网络层；绝缘层，在电力传输网络层上，并且该绝缘层中具有开口；半导体层，填充开口并且覆盖绝缘层；第一通孔，延伸穿过半导体层并且电连接到电力传输网络层；第二通孔，延伸穿过绝缘层和半导体层并且电连接到电力传输网络层；逻辑元件，在半导体层上并且电连接到第一通孔；以及无源元件，在半导体层上并且电连接到第二通孔。
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公开(公告)号：CN117594599A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311020288.4
申请日：2023-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/762
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区；栅结构，与有源区相交并且包括栅电极；有源区上在栅结构的至少一侧的源/漏区；以及栅隔离结构，在有源区之间的区域上将彼此相对的栅结构彼此隔离。彼此相对的栅结构包括第一栅结构、与第一栅结构相对的第二栅结构、与第一栅结构平行地延伸的第三栅结构、以及与第三栅结构相对且与第二栅结构平行地延伸的第四栅结构。栅隔离结构包括：线型的第一隔离结构，沿第一水平方向延伸；以及孔型的第二隔离结构，在第一栅结构和第二栅结构之间以及第三栅结构和第四栅结构之间穿透第一隔离结构。
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