公开(公告)号：CN115483287A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210653655.3

申请日：2022-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  郭玟灿

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底上的有源区；与衬底上的有源区相交的栅极结构；栅极结构的两侧上的源极/漏极区；暴露源极/漏极区的接触孔中的接触结构，接触结构包括阻挡层和插塞层；以及接触孔的剩余空间中的绝缘图案，其中，接触结构包括填充接触孔的下部的第一部分和从第一部分的一区域突出的第二部分，插塞层从第一部分连续地延伸到第二部分，并且第二部分的阻挡层在第二部分的插塞层两侧上具有位于比第二部分的插塞层的上表面低的水平处的上端。

公开(公告)号：CN113948517A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110761662.0

申请日：2021-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圣宪 ,  申宪宗 ,  郭玟灿 ,  李城门 ,  黄精气

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一栅极结构，在第一方向上延伸并且包括第一栅电极和第一栅极覆盖图案；第二栅极结构，与所述第一栅极结构间隔开，在所述第一方向上延伸，并且包括第二栅电极和第二栅极覆盖图案；有源图案，在第二方向上延伸，所述有源图案位于所述第二栅极结构下方；外延图案，位于所述第二栅极结构的一侧并且位于所述有源图案上；栅极接触，连接到所述第一栅电极；以及节点接触，连接到所述第二栅电极并且连接到所述外延图案。所述栅极接触的上表面位于与所述第一栅极覆盖图案的上表面相同的水平高度处，所述节点接触的上表面低于所述第一栅极覆盖图案的所述上表面。

公开(公告)号：CN117878121A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311298316.9

申请日：2023-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金泛镇 ,  金荣佑 ,  李东翼 ,  蔡命均

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置包括：基板，其包括第一表面和第二表面；第一源极/漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第二源极/漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第一源极/漏极触点，其设置在第一源极/漏极图案上并且连接到第一源极/漏极图案；第二源极/漏极触点，其设置在第二源极/漏极图案上并且连接到第二源极/漏极图案；后布线，其设置在基板的第二表面上；第一接触连接穿通件，其将后布线与第一源极/漏极触点连接；第二接触连接穿通件，其将后布线与第二源极/漏极触点连接并且与第一接触连接穿通件间隔开；以及气隙结构，其设置在第一接触连接穿通件和第二接触连接穿通件之间。

公开(公告)号：CN112530861A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010915052.7

申请日：2020-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李城门 ,  郭玟灿 ,  申宪宗 ,  郑涌植 ,  卢永昌 ,  李斗铉 ,  郑圣宪 ,  池祥源

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L27/02

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成有源区；在所述衬底上形成与所述有源区相交的栅极结构；去除所述栅极结构的上部并形成栅极覆层；形成电连接到所述有源区的一部分的初步接触插塞，所述初步接触插塞包括第一部分和第二部分；形成包括第一图案层和第二图案层的掩模图案层，所述第一图案层覆盖所述栅极覆层的上表面，所述第二图案层从所述第一图案层延伸以覆盖所述初步接触插塞的所述第二部分；以及使用所述掩模图案层作为蚀刻掩模，通过使所述初步接触插塞的被所述掩模图案层暴露的所述第一部分从所述初步接触插塞的上表面凹陷到预定深度，来形成接触插塞。

公开(公告)号：CN109755218A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810567838.7

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭玟灿 ,  全辉璨 ,  申宪宗 ,  刘素罗 ,  李相炫 ,  黄寅灿

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件及形成其的方法。该半导体器件包括在衬底上彼此间隔开并平行地线形延伸的多个有源区域。栅电极跨越所述多个有源区域，并且相应漏极区域在有源区域的位于栅电极的第一侧的相应有源区域上和/或中，相应源极区域在有源区域的位于栅电极的第二侧的相应有源区域上和/或中。漏极插塞设置在漏极区域上，源极插塞设置在源极区域上。栅极插塞在漏极插塞与源极插塞之间设置于栅电极上，使得穿过漏极插塞的中心和源极插塞的中心的直线交叉栅极插塞。

公开(公告)号：CN119905471A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411051376.5

申请日：2024-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝珍 ,  黄东勋 ,  郭玟灿

IPC: H01L23/485 ,  H10D84/83

Abstract: 一种半导体器件可以包括：通路图案，该通路图案连接到位于衬底上的导电图案，并且包括堆叠在下通路图案上的下通路图案和上通路图案；以及布线线路，该布线线路连接到上通路图案并且在第二方向上延伸。布线线路可以包括与上通路图案相同的金属。布线线路的底部宽度可以大于布线线路的顶部宽度。下通路图案的顶面的宽度可以等于上通路图案的底面的宽度。

公开(公告)号：CN110875305B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN201910783932.0

申请日：2019-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  郑圣宪 ,  郭玟灿 ,  郑涌植 ,  池祥源 ,  刘素罗 ,  李斗铉

IPC: H10D89/10 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件可包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，横跨有源图案并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；源极/漏极图案，在有源图案上并与栅电极的一侧相邻；有源接触件，在暴露源极/漏极图案的接触孔中；绝缘图案，填充设置有有源接触件的接触孔的剩余空间；第一通孔，在有源接触件上；以及第二通孔，在栅电极上。有源接触件可包括填充接触孔的下部的第一段以及从第一段垂直地突出的第二段。第一通孔连接到第二段。绝缘图案在第一方向上与第二通孔相邻。

公开(公告)号：CN118522710A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311216060.2

申请日：2023-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣佑 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  罗相喆 ,  李东翼

IPC: H01L23/48 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 实施例提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底，其具有彼此相反的第一表面和第二表面；沟道图案，其设置在半导体衬底的第一表面上；源极/漏极图案，其设置在半导体衬底的第一表面上并且设置在沟道图案的两侧；第一蚀刻停止膜和第二蚀刻停止膜，其设置在半导体衬底的第一表面上；接触电极，其电连接到源极/漏极图案；下布线结构，其设置在半导体衬底的第二表面上；以及贯通通路，其穿过半导体衬底、第一蚀刻停止膜和第二蚀刻停止膜，以连接接触电极和下布线结构，其中，贯通通路包括：第一部分，其接触接触电极；以及第二部分，其接触第一部分并且设置在第一部分与下布线结构之间。

公开(公告)号：CN117790539A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202310483676.X

申请日：2023-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄东勋 ,  姜明一 ,  郭玟灿 ,  金庚浩 ,  赵敬熙 ,  崔道永

IPC: H01L29/08 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 一种三维半导体器件，包括：在衬底上的第一有源区域，该第一有源区域包括下沟道图案和连接到下沟道图案的下源/漏图案；第二有源区域，堆叠在第一有源区域上，该第二有源区域包括上沟道图案和连接到上沟道图案的上源/漏图案；栅电极，在下沟道图案和上沟道图案上；下接触部，电连接到下源/漏图案，该下接触部具有在第一方向上在下源/漏图案上延伸的条形形状；第一有源接触部，耦接到下接触部；以及第二有源接触部，耦接到上源/漏图案。下源/漏图案在第二方向上的第一宽度大于下接触部在第二方向上的第二宽度。

公开(公告)号：CN111223834A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910800057.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  金志睿 ,  千正焕 ,  郭玟灿 ,  卢东贤 ,  李珍旭 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。