公开(公告)号：CN106548931B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201610831395.9

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩东佑 ,  梁光容 ,  李珍旭 ,  田炅烨 ,  丁海建 ,  金度亨

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法，所述制造半导体器件的方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区，在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。

公开(公告)号：CN112447852A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010885689.6

申请日：2020-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光永 ,  李珍旭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/02

Abstract: 一种半导体装置包括设置在衬底上的源极/漏极图案和连接到源极/漏极图案的源极/漏极触点。源极/漏极触点包括在第一方向上延伸的下触点结构和从下触点结构突出的上触点结构。上触点结构包括在第一方向上彼此背离的第一侧壁和第二侧壁。上触点结构的第一侧壁包括多个第一子侧壁，并且各个第一子侧壁包括凹面。

公开(公告)号：CN106169472B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201610186038.1

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。

公开(公告)号：CN106169472A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610186038.1

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。

公开(公告)号：CN106057872B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201610239698.1

申请日：2016-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  金完敦 ,  玄尚镇 ,  李珍旭 ,  权奇相 ,  高绮亨 ,  明成禹

IPC: H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种包括具有相对窄的宽度和相对小的间距的栅线的半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法，所述半导体器件包括：衬底，其具有鳍式有源区；栅极绝缘层，其覆盖鳍式有源区的上表面和侧部；以及栅线，其延伸并且与鳍式有源区交叉同时覆盖鳍式有源区的上表面和两侧，栅线位于栅极绝缘层上，其中在垂直于栅线的延伸方向的剖面中，栅线的上表面的中心部分具有凹进形状。

公开(公告)号：CN111223834A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910800057.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  金志睿 ,  千正焕 ,  郭玟灿 ,  卢东贤 ,  李珍旭 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。

公开(公告)号：CN106548931A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610831395.9

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩东佑 ,  梁光容 ,  李珍旭 ,  田炅烨 ,  丁海建 ,  金度亨

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法，所述制造半导体器件的方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区，在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。

公开(公告)号：CN105990445A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610147006.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁志玟 ,  权奇相 ,  李珍旭 ,  高绮亨 ,  朴相真 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹智园

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。

公开(公告)号：CN105990445B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201610147006.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁志玟 ,  权奇相 ,  李珍旭 ,  高绮亨 ,  朴相真 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹智园

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。

公开(公告)号：CN110767654A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201910370476.7

申请日：2019-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌衍 ,  李珍旭 ,  郭玟燦 ,  白桂铉 ,  朴洪培

IPC: H01L27/088

Abstract: 提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：基底；鳍型有源区，从基底突出；栅极线，与鳍型有源区交叉并覆盖鳍型有源区的顶表面和侧壁；栅极绝缘盖层，覆盖栅极线；源区/漏区，在鳍型有源区上位于栅极线的侧面处；第一导电塞，连接到源区/漏区；硬掩模层，覆盖第一导电塞中；以及第二导电塞，位于第一导电塞之间，第二导电塞通过穿过栅极绝缘盖层连接到栅极线，并且具有比每个第一导电塞的顶表面高的顶表面，其中，硬掩模层从第一导电塞朝向第二导电塞突出，使得硬掩模层的一部分从第一导电塞的边缘悬突。