-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114765211A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210049811.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底；第一基鳍，其从衬底突出并在第一方向上延伸；以及第一鳍型图案，其从第一基鳍突出并在第一方向上延伸。第一基鳍包括第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁在第一方向上延伸，第一侧壁与第二侧壁相对，第一基鳍的第一侧壁至少部分地限定第一深沟槽，第一基鳍的第二侧壁至少部分地限定第二深沟槽，并且第一深沟槽的深度大于第二深沟槽的深度。
-
公开(公告)号：CN106548931A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610831395.9
申请日：2016-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/30604 , H01L21/823437 , H01L27/0886 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L21/28008 , H01L21/823456 , H01L21/823828 , H01L21/82385
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法，所述制造半导体器件的方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区，在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。
-
公开(公告)号：CN114628393A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111374019.9
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元在第一方向上彼此相邻；第一至第四存储鳍，在第一存储单元中在第一方向上彼此相邻，第一至第四存储鳍从衬底突出；第五至第八存储鳍，在第二存储单元中在第一方向上彼此相邻，第五至第八存储鳍从衬底突出；以及第一浅器件隔离层，在第四存储鳍和第五存储鳍之间，第一浅器件隔离层的侧壁具有拐点。
-
公开(公告)号：CN114334962A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111110486.0
申请日：2021-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/77 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件，包括：位于衬底上的器件隔离层；图案组，包括在第一方向上延伸的鳍图案；以及栅结构，在第二方向上延伸以与鳍图案相交。图案组中的第一图案组可以包括第一鳍图案。第一鳍图案的至少一部分可以在第二方向上以第一间距布置。第一图案组可以包括从第一凹陷部延伸的第一平坦部。第一凹陷部的中心轴可以在第二方向上与第一鳍图案中的一个的中心轴间隔开第一距离。第一平坦部可以在第二方向上具有第一宽度，第一宽度大于第一间距。第一距离可以是第一间距的约0.8倍至约1.2倍。
-
公开(公告)号：CN106548931B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201610831395.9
申请日：2016-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法，所述制造半导体器件的方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区，在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.029 seconds)
