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公开(公告)号：CN106548931A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610831395.9
申请日：2016-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/30604 , H01L21/823437 , H01L27/0886 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L21/28008 , H01L21/823456 , H01L21/823828 , H01L21/82385
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法，所述制造半导体器件的方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区，在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。
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公开(公告)号：CN109560037A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810710445.7
申请日：2018-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。
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公开(公告)号：CN111244091A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010063437.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种方法包括：在基板第一区域形成多个第一有源鳍和第一牺牲栅结构；在基板第二区域形成多个第二有源鳍和第二牺牲栅结构；在各第一牺牲栅结构侧壁上形成包括第一间隔物和第一牺牲间隔物的第一初级间隔物；第一初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第一有源鳍上部以在第一牺牲栅结构两侧形成第一凹槽区域；去除第一牺牲间隔物；在第一凹槽区域中外延生长第一嵌入源/漏区；在各第二牺牲栅结构侧壁上形成包括第二和第三间隔物和第二牺牲间隔物的第二初级间隔物；第二初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第二有源鳍上部以在第二牺牲栅结构两侧形成第二凹槽区域；去除第二牺牲间隔物；在第二凹槽区域中外延生长第二嵌入源/漏区。
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公开(公告)号：CN107017295A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610903349.5
申请日：2016-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的隔离图案，所述隔离图案具有在衬底上的下部绝缘图案，以及覆盖所述下部绝缘图案的侧表面的间隔物；穿过所述隔离图案以接触衬底的垂直结构，所述垂直结构具有在衬底上的第一半导体层，第一半导体层的下端在比所述隔离图案的下表面更低的高度，在第一半导体层上的第二半导体层，以及在第二半导体层上的第三半导体层；以及与垂直结构交叉且在所述隔离图案上方延伸的栅电极。
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公开(公告)号：CN111244091B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010063437.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种方法包括：在基板第一区域形成多个第一有源鳍和第一牺牲栅结构；在基板第二区域形成多个第二有源鳍和第二牺牲栅结构；在各第一牺牲栅结构侧壁上形成包括第一间隔物和第一牺牲间隔物的第一初级间隔物；第一初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第一有源鳍上部以在第一牺牲栅结构两侧形成第一凹槽区域；去除第一牺牲间隔物；在第一凹槽区域中外延生长第一嵌入源/漏区；在各第二牺牲栅结构侧壁上形成包括第二和第三间隔物和第二牺牲间隔物的第二初级间隔物；第二初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第二有源鳍上部以在第二牺牲栅结构两侧形成第二凹槽区域；去除第二牺牲间隔物；在第二凹槽区域中外延生长第二嵌入源/漏区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108109994B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201711180414.7
申请日：2017-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H10B12/00 , H01L21/033
Abstract: 本公开涉及有源图案结构及包括其的半导体器件。一种有源图案结构可以包括含有源图案阵列的衬底，有源图案阵列由包括第一沟槽至第三沟槽的多个沟槽、以及分别在第一沟槽至第三沟槽中的第一隔离图案至第三隔离图案限定。有源图案阵列可以包括在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案，第一沟槽至第三沟槽可以在第一有源图案与第二有源图案之间并且可以包括彼此不同的宽度。有源图案阵列可以包括有源图案组，其包括顺序地布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案。所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个可以具有微小的宽度。
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公开(公告)号：CN107017295B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201610903349.5
申请日：2016-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的隔离图案，所述隔离图案具有在衬底上的下部绝缘图案，以及覆盖所述下部绝缘图案的侧表面的间隔物；穿过所述隔离图案以接触衬底的垂直结构，所述垂直结构具有在衬底上的第一半导体层，第一半导体层的下端在比所述隔离图案的下表面更低的高度，在第一半导体层上的第二半导体层，以及在第二半导体层上的第三半导体层；以及与垂直结构交叉且在所述隔离图案上方延伸的栅电极。
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公开(公告)号：CN1268160C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200410002554.1
申请日：2004-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04M1/021 , H04M1/0218 , H04M1/0243 , H04M1/0245 , H04M1/6041 , H04M1/72522 , H04M2250/12 , H04M2250/52 , H04N2007/145
Abstract: 公开了一种用于检测具有照相机的旋转触摸电话中折叠器的位置的方法和装置。该旋转触摸电话包括传感器部件、折叠器、本体和连接部件。该折叠器具有磁体，以及该传感器部件包括用于检测磁体的第一、第二和第三传感器。该第一和第二传感器位于该本体上，以及该第三传感器位于该连接部件上。该连接部件连接该折叠器和该本体。该折叠器可以从第一、第二、第三和第四状态移动。该第一状态表示初始地关闭该折叠器的状态，该第二状态表示已经从该第一状态打开该折叠器的状态，该第三状态表示已经使该折叠器从该第二状态旋转大致180度的状态，该第四状态表示已经从该第三状态关闭该折叠器的状态。该方法包括步骤：i)从该传感器部件接收告知该传感器部件检测到该磁体的信号；以及ii)基于从该传感器部件输入的信号，确定该折叠器处于第一至第四状态的至少一个。
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公开(公告)号：CN1523915A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410002554.1
申请日：2004-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04M1/021 , H04M1/0218 , H04M1/0243 , H04M1/0245 , H04M1/6041 , H04M1/72522 , H04M2250/12 , H04M2250/52 , H04N2007/145
Abstract: 公开了一种用于检测具有照相机的旋转触摸电话中折叠器的位置的方法和装置。该旋转触摸电话包括传感器部件、折叠器、本体和连接部件。该折叠器具有磁体，以及该传感器部件包括用于检测磁体的第一、第二和第三传感器。该第一和第二传感器位于该本体上，以及该第三传感器位于该连接部件上。该连接部件连接该折叠器和该本体。该折叠器可以从第一、第二、第三和第四状态移动。该第一状态表示初始地关闭该折叠器的状态，该第二状态表示已经从该第一状态打开该折叠器的状态，该第三状态表示已经使该折叠器从该第二状态旋转大致180度的状态，该第四状态表示已经从该第三状态关闭该折叠器的状态。该方法包括步骤：i)从该传感器部件接收告知该传感器部件检测到该磁体的信号；以及ii)基于从该传感器部件输入的信号，确定该折叠器处于第一至第四状态的至少一个。
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公开(公告)号：CN109560037B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201810710445.7
申请日：2018-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。
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