公开(公告)号：CN101257023B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200810080578.7

申请日：2008-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英洙 ,  丁炯硕 ,  许成 ,  白贤锡

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966

Abstract: 示例实施例提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)半导体装置和一种制造该CMOS半导体装置的方法。所述CMOS半导体装置可以包括：栅极，在nMOS区域和pMOS区域中；多晶硅覆盖层；金属氮化物层，在多晶硅覆盖层之下；栅极绝缘层，在栅极之下。nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成，并可以具有不同的逸出功。因为金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成，所以可以简化工艺，可以增加产量，并可以获得更高性能的CMOS半导体装置。

公开(公告)号：CN109560037B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201810710445.7

申请日：2018-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣敏喆 ,  河大元 ,  黄东勳 ,  白种和 ,  田钟珉 ,  河承模 ,  梁光容 ,  朴栽永 ,  丁英洙

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。

公开(公告)号：CN109560037A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201810710445.7

申请日：2018-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣敏喆 ,  河大元 ,  黄东勳 ,  白种和 ,  田钟珉 ,  河承模 ,  梁光容 ,  朴栽永 ,  丁英洙

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。

公开(公告)号：CN101257023A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810080578.7

申请日：2008-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英洙 ,  丁炯硕 ,  许成 ,  白贤锡

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966

Abstract: 示例实施例提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)半导体装置和一种制造该CMOS半导体装置的方法。所述CMOS半导体装置可以包括：栅极，在nMOS区域和pMOS区域中；多晶硅覆盖层；金属氮化物层，在多晶硅覆盖层之下；栅极绝缘层，在栅极之下。nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成，并可以具有不同的逸出功。因为金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成，所以可以简化工艺，可以增加产量，并可以获得更高性能的CMOS半导体装置。

公开(公告)号：CN101013723A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710006727.0

申请日：2007-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英洙 ,  韩成基 ,  丁炯硕 ,  李炯益

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供半导体器件，具有多个堆叠的金属层。该半导体器件包括：衬底；在该衬底上沉积且由高k电介质材料形成的栅极氧化物层；在该栅极氧化物层上沉积且由该栅极氧化物层的高k电介质材料的金属的氮化物形成的第一金属层；在该第一金属层上沉积的第二金属层；在该第二金属层上沉积的第三金属层；及在该第三金属层上沉积的材料层，其中该材料层与该第一、第二、和第三金属层一起形成栅极电极。因为该栅极氧化物层和该金属层之间的任何化学反应能够被控制，防止了电容等效氧化物的厚度的变坏和电流的泄漏，并且提供了具有改进的绝缘的半导体器件。