公开(公告)号：CN106158969A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610262462.X

申请日：2016-04-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑钟基 ,  姜明一 ,  金伦楷 ,  李宽钦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725

摘要： 一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。

公开(公告)号：CN102044424B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201010511468.9

申请日：2010-10-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑钟基

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法。具体地，本发明涉及制造包括金属硅化物层的半导体器件的方法，以及一种通过制造具有均匀厚度的细长金属硅化物层而与基板掺杂类型无关的方法形成的器件。平坦的空区通过硅基板的非晶化的表面层与绝缘层的分离而产生，金属源通过接触孔经过与空区连接的绝缘层进入空区，热处理将空区中的金属转换为金属硅化物。该分离通过将非晶硅转换为晶体硅而引起。

公开(公告)号：CN111244091B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202010063437.5

申请日：2016-03-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 本公开提供制造半导体器件的方法。一种方法包括：在基板第一区域形成多个第一有源鳍和第一牺牲栅结构；在基板第二区域形成多个第二有源鳍和第二牺牲栅结构；在各第一牺牲栅结构侧壁上形成包括第一间隔物和第一牺牲间隔物的第一初级间隔物；第一初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第一有源鳍上部以在第一牺牲栅结构两侧形成第一凹槽区域；去除第一牺牲间隔物；在第一凹槽区域中外延生长第一嵌入源/漏区；在各第二牺牲栅结构侧壁上形成包括第二和第三间隔物和第二牺牲间隔物的第二初级间隔物；第二初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第二有源鳍上部以在第二牺牲栅结构两侧形成第二凹槽区域；去除第二牺牲间隔物；在第二凹槽区域中外延生长第二嵌入源/漏区。

公开(公告)号：CN107123685B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201710281354.1

申请日：2016-04-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑钟基 ,  姜明一 ,  金伦楷 ,  李宽钦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/417

摘要： 一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。

公开(公告)号：CN111244091A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010063437.5

申请日：2016-03-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 本公开提供制造半导体器件的方法。一种方法包括：在基板第一区域形成多个第一有源鳍和第一牺牲栅结构；在基板第二区域形成多个第二有源鳍和第二牺牲栅结构；在各第一牺牲栅结构侧壁上形成包括第一间隔物和第一牺牲间隔物的第一初级间隔物；第一初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第一有源鳍上部以在第一牺牲栅结构两侧形成第一凹槽区域；去除第一牺牲间隔物；在第一凹槽区域中外延生长第一嵌入源/漏区；在各第二牺牲栅结构侧壁上形成包括第二和第三间隔物和第二牺牲间隔物的第二初级间隔物；第二初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第二有源鳍上部以在第二牺牲栅结构两侧形成第二凹槽区域；去除第二牺牲间隔物；在第二凹槽区域中外延生长第二嵌入源/漏区。

公开(公告)号：CN107123685A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710281354.1

申请日：2016-04-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑钟基 ,  姜明一 ,  金伦楷 ,  李宽钦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/417

摘要： 一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。

公开(公告)号：CN111384049A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911191687.0

申请日：2019-11-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑钟基 ,  郑载勋 ,  安灿根 ,  李润锡 ,  洪秀宪

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 一种半导体装置包括衬底的第一区中的第一鳍型图案。第一鳍型图案包括具有由第一沟槽限定的对应的侧壁的多个间隔开的鳍。提供了与第一鳍型图案交叉的第一栅极结构。第二鳍型图案设置在衬底的第二区中。第二鳍型图案包括具有由第二沟槽限定的侧壁的鳍。提供了与第二鳍型图案交叉的第二栅极结构。场绝缘膜填充第一沟槽的至少一部分以及第二沟槽的至少一部分。场绝缘膜具有第一上表面和第二上表面，第一上表面与第一鳍型图案的至少一个侧壁接触并且与第一沟槽的底部间隔开第一高度，第二上表面与第二鳍型图案的侧壁接触并且与第二沟槽的底部间隔开与第一高度不同的第二高度。

公开(公告)号：CN106169472B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201610186038.1

申请日：2016-03-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。

公开(公告)号：CN106158969B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201610262462.X

申请日：2016-04-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑钟基 ,  姜明一 ,  金伦楷 ,  李宽钦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851

摘要： 种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第晶体生长部分和第二晶体生长部分,第二晶体生长部分与第晶体生长部分共享个平面,并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。

公开(公告)号：CN106169472A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610186038.1

申请日：2016-03-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。