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发明公开
具有鳍型有源区的半导体装置及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN111384049A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911191687.0

申请日：2019-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑钟基 , 郑载勋 , 安灿根 , 李润锡 , 洪秀宪

IPC: H01L27/092 , H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置包括衬底的第一区中的第一鳍型图案。第一鳍型图案包括具有由第一沟槽限定的对应的侧壁的多个间隔开的鳍。提供了与第一鳍型图案交叉的第一栅极结构。第二鳍型图案设置在衬底的第二区中。第二鳍型图案包括具有由第二沟槽限定的侧壁的鳍。提供了与第二鳍型图案交叉的第二栅极结构。场绝缘膜填充第一沟槽的至少一部分以及第二沟槽的至少一部分。场绝缘膜具有第一上表面和第二上表面，第一上表面与第一鳍型图案的至少一个侧壁接触并且与第一沟槽的底部间隔开第一高度，第二上表面与第二鳍型图案的侧壁接触并且与第二沟槽的底部间隔开与第一高度不同的第二高度。

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