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公开(公告)号：CN106098775B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201610282358.7
申请日：2016-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：栅结构，其在衬底上在第二方向上延伸；源/漏层，设置于衬底的在交叉第二方向的第一方向上与栅结构相邻的部分上；第一导电接触插塞，在栅结构上；以及第二接触插塞结构，其设置在源/漏层上。第二接触插塞结构包括第二导电接触插塞和绝缘图案，第二导电接触插塞和绝缘图案沿第二方向设置并且彼此接触。第一导电接触插塞和绝缘图案在第一方向上彼此相邻。第一和第二导电接触插塞彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN106098772B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201610269149.9
申请日：2016-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括位于第一有源区上的第一图案、位于第二有源区上的第二图案以及位于第三有源区上的第三图案。第一图案以与第一有源区与第二有源区之间的第一凹进的宽度相对应的第一间隔从第二图案间隔开。第二图案以与第二有源区与第三有源区之间的第二凹进的宽度相对应的第二间隔从第三图案分隔开。第一图案、第二图案和第三图案包括栅极图案，第一凹进和第二凹进包括其导电类型不同于有源区的半导体材料。一个凹进中的半导体材料延伸高于另一凹进中的半导体材料。第一图案、第二图案和第三图案具有相同的宽度，第一凹进和第二凹进具有不同的深度。
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公开(公告)号：CN111244091B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010063437.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种方法包括：在基板第一区域形成多个第一有源鳍和第一牺牲栅结构；在基板第二区域形成多个第二有源鳍和第二牺牲栅结构；在各第一牺牲栅结构侧壁上形成包括第一间隔物和第一牺牲间隔物的第一初级间隔物；第一初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第一有源鳍上部以在第一牺牲栅结构两侧形成第一凹槽区域；去除第一牺牲间隔物；在第一凹槽区域中外延生长第一嵌入源/漏区；在各第二牺牲栅结构侧壁上形成包括第二和第三间隔物和第二牺牲间隔物的第二初级间隔物；第二初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第二有源鳍上部以在第二牺牲栅结构两侧形成第二凹槽区域；去除第二牺牲间隔物；在第二凹槽区域中外延生长第二嵌入源/漏区。
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公开(公告)号：CN106057808B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201610223619.8
申请日：2016-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：设置有有源图案的衬底；横过有源图案延伸的栅电极；分别设置于栅电极之间的有源图案的上部中的源极/漏极区域；以及设置在栅电极之间并且分别电连接至源极/漏极区域的第一接触和第二接触。第一接触和第二接触以其接触中心线与相应的栅中心线间隔开第一和第二距离的方式设置。第一距离不同于第二距离。
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公开(公告)号：CN107123685B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710281354.1
申请日：2016-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/417
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576540B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201410564455.6
申请日：2014-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法和用于实现该方法的计算系统。制造半导体器件的方法包括：形成靶层；在靶层上形成第一掩模以暴露第一区；随后在靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与第一区分开的第二区；随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将第一区分为在交叉第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区；和使用第一至第三掩模蚀刻靶层，使得第一子区和第二子区以及第二区被限定在靶层中。
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公开(公告)号：CN111244091A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010063437.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种方法包括：在基板第一区域形成多个第一有源鳍和第一牺牲栅结构；在基板第二区域形成多个第二有源鳍和第二牺牲栅结构；在各第一牺牲栅结构侧壁上形成包括第一间隔物和第一牺牲间隔物的第一初级间隔物；第一初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第一有源鳍上部以在第一牺牲栅结构两侧形成第一凹槽区域；去除第一牺牲间隔物；在第一凹槽区域中外延生长第一嵌入源/漏区；在各第二牺牲栅结构侧壁上形成包括第二和第三间隔物和第二牺牲间隔物的第二初级间隔物；第二初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第二有源鳍上部以在第二牺牲栅结构两侧形成第二凹槽区域；去除第二牺牲间隔物；在第二凹槽区域中外延生长第二嵌入源/漏区。
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公开(公告)号：CN107123685A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710281354.1
申请日：2016-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/417
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。
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公开(公告)号：CN106098775A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610282358.7
申请日：2016-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：栅结构，其在衬底上在第二方向上延伸；源/漏层，设置于衬底的在交叉第二方向的第一方向上与栅结构相邻的部分上；第一导电接触插塞，在栅结构上；以及第二接触插塞结构，其设置在源/漏层上。第二接触插塞结构包括第二导电接触插塞和绝缘图案，第二导电接触插塞和绝缘图案沿第二方向设置并且彼此接触。第一导电接触插塞和绝缘图案在第一方向上彼此相邻。第一和第二导电接触插塞彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN106057896A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610228211.X
申请日：2016-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/772 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种包括第一有源区和第二有源区的半导体器件。每个有源区包括多个鳍突起和布置在各鳍突起之间的凹进区域。多个栅极结构布置在多个鳍突起中的每一个上。半导体层布置在每个凹进区域中。第一有源区的栅极结构之间的距离与第二有源区的栅极结构之间的距离相同，并且第一凹进区域的半导体层的底表面与第一有源区的鳍突起中的每一个的顶表面之间的高度差小于第二有源区的凹进区域的半导体层的底表面与第二有源区的鳍突起中的每一个的顶表面之间的高度差。
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