公开(公告)号：CN106057808B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201610223619.8

申请日：2016-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴秀蕙 ,  金伦楷 ,  裵德汉 ,  张在兰 ,  全辉璨

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：设置有有源图案的衬底；横过有源图案延伸的栅电极；分别设置于栅电极之间的有源图案的上部中的源极/漏极区域；以及设置在栅电极之间并且分别电连接至源极/漏极区域的第一接触和第二接触。第一接触和第二接触以其接触中心线与相应的栅中心线间隔开第一和第二距离的方式设置。第一距离不同于第二距离。

公开(公告)号：CN106057808A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610223619.8

申请日：2016-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴秀蕙 ,  金伦楷 ,  裵德汉 ,  张在兰 ,  全辉璨

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L21/823871

Abstract: 一种半导体器件包括：设置有有源图案的衬底；横过有源图案延伸的栅电极；分别设置于栅电极之间的有源图案的上部中的源极/漏极区域；以及设置在栅电极之间并且分别电连接至源极/漏极区域的第一接触和第二接触。第一接触和第二接触以其接触中心线与相应的栅中心线间隔开第一和第二距离的方式设置。第一距离不同于第二距离。

公开(公告)号：CN113707658B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202110850759.9

申请日：2016-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴秀蕙 ,  金伦楷 ,  裵德汉 ,  张在兰 ,  全辉璨

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有有源图案和源极/漏极区域；栅电极，在第一方向上与有源图案交叉并在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开；第一接触和第二接触，分别电连接至源极/漏极区域并在第二方向上间隔开，当在平面图中观看时，源极/漏极区域和与之连接的第一接触和第二接触位于栅电极之间，第一接触中的每一个与最靠近第一接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第一间隔距离和第二间隔距离，第二接触中的每一个与最靠近第二接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第三间隔距离和第四间隔距离，第一间隔距离与第二间隔距离的比不同于第三间隔距离与第四间隔距离的比。

公开(公告)号：CN113707658A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110850759.9

申请日：2016-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴秀蕙 ,  金伦楷 ,  裵德汉 ,  张在兰 ,  全辉璨

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有有源图案和源极/漏极区域；栅电极，在第一方向上与有源图案交叉并在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开；第一接触和第二接触，分别电连接至源极/漏极区域并在第二方向上间隔开，当在平面图中观看时，源极/漏极区域和与之连接的第一接触和第二接触位于栅电极之间，第一接触中的每一个与最靠近第一接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第一间隔距离和第二间隔距离，第二接触中的每一个与最靠近第二接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第三间隔距离和第四间隔距离，第一间隔距离与第二间隔距离的比不同于第三间隔距离与第四间隔距离的比。